+12V、0.5A單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源電路

出處：yirongfu 發(fā)布于：2007-06-23 00:00:00 | 5701 次閱讀

+12V、0.5A單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的電路如圖所示。其輸出功率為6W。當(dāng)輸入交流電壓在110～260V范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓調(diào)整率Sv≤1％。當(dāng)負(fù)載電流大幅度變化時(shí)，負(fù)載調(diào)整率SI=5％～7％。為簡(jiǎn)化電路，這里采用了基本反饋方式。

接通電源后，220V交流電首先經(jīng)過(guò)橋式整流和C1濾波，得到約+300V的直流高壓，再通過(guò)高頻變壓器的初級(jí)線圈N1，給WSl57提供所需的工作電壓。從次級(jí)線圈N2上輸出的脈寬調(diào)制功率信號(hào)，經(jīng)VD7、C4、L和C5進(jìn)行高頻整流濾波，獲得+12V、0.5A的穩(wěn)壓輸出。反饋線圈N3上的電壓則通過(guò)VD6、R2、C3整流濾波后，將控制電流加至控制端C上。由VD5、R1，和C2構(gòu)成的吸收回路，能有效抑制漏極上的反向峰值電壓。該電路的穩(wěn)壓原理分析如下：當(dāng)由于某種原因致使Uo↓時(shí)，反饋線圈電壓及控制端電流也隨之降低，而芯片內(nèi)部產(chǎn)生的誤差電壓Ur↑時(shí)，PWM比較器輸出的脈沖占空比D↑，經(jīng)過(guò)MOSFET和降壓式輸出電路使得Uo↑，最終能維持輸出電壓不變。反之亦然。

為了抑制初、次級(jí)之間的共模干擾，在N2、N3的同相端還并聯(lián)一只1500pF／2kV的高壓陶瓷電壓C6。VD5可以選用UF4005(1A／600V)型超快恢復(fù)二極管。VD6選1N4148型硅高速開(kāi)關(guān)二極管。VD7須采用3A／40V以上的肖特基二極管，可選B82—004型(15A／40V)。 C2宜選2200pF／1kV的高壓陶瓷電容。R1為C2的泄放電阻，可防止斷電后在C2上積累的電荷形成高壓。為降低空載電壓，在輸出端并聯(lián)一只560Ω的最小負(fù)載電阻。高頻變壓器可選國(guó)產(chǎn)E-20型鐵氧體磁心。其截面積Sj=0．25cm²。繞制方法應(yīng)為先繞N1，再繞N2，繞N3，并需注意線圈的極性。各繞組所用漆包線的線徑與匝數(shù)已標(biāo)明在圖中。

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