屬接近開(kāi)關(guān)電路由高頻振蕩器電路、倍壓整流電路和電子開(kāi)關(guān)電路組成，如圖所示。

　　高頻振蕩器電路由高頻變壓器T、電位器RP1、電阻器R1～R3、電容器C1～C3和晶體管V1組成。
 
　　倍壓整流電路由二極管VD1與VD2、電容器C4和電阻器R4組成。
 
　　電子開(kāi)關(guān)電路由晶體管V2與V3、電位器RP2、光耦合器VLC和電阻器R5、R6組成。
 
　　高頻變壓器T作為檢測(cè)探頭對(duì)金屬物體進(jìn)行檢測(cè)。在金屬物體未靠近檢測(cè)探頭時(shí)，高頻振蕩器振蕩工作，其輸出的振蕩信號(hào)經(jīng)倍壓整流電路倍壓整流后，產(chǎn)生一直流電壓使V2飽和導(dǎo)通，V3和VLC截止，電子開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)有金屬物體靠近檢測(cè)探頭時(shí)，將產(chǎn)生渦流損耗，使高頻振蕩器停振，V2因基極的直流電壓消失而截止，V3導(dǎo)通，VLC內(nèi)部的發(fā)光二極管點(diǎn)亮，當(dāng)光敏晶體管導(dǎo)通，電子開(kāi)關(guān)處于接通狀態(tài)。
 
　　調(diào)節(jié)RP1和RP2的阻值，可改變探測(cè)距離及探測(cè)靈敏度。
 
　　元器件選擇
 
　　R1～R6選用1／4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
 
　　RP1選用有機(jī)實(shí)心電位器或可變電阻器；RP2選用合成碳膜電位器或可變電阻器。
 
　　C1、C2和C4均選用獨(dú)石電容器；C3選用高頻瓷介電容器。
 
　　VD1和VD2均選用IN4148型硅開(kāi)關(guān)二極管。
 
　　V1和V2選用59013或3DG6型硅NPN晶體管；V3選用58050型硅NPN晶體管。
 
　　VLC選用4N25或4N26型光耦合器。
 
　　T使用Φ5mm×4mm的磁心和Φ0.12mm的漆包線繞制：W1繞25匝，W2繞H匝，W3繞60匝。