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ICE1QS01芯片電路組成圖

出處:zab 發(fā)布于:2011-05-09 00:00:00 | 2794 次閱讀

     E1QS01芯片主要由比較器,觸發(fā)器和數(shù)字處理電路組成,具體如圖1所示。

ICE1QS01芯片電路組成

圖1  ICE1QS01芯片電路組成

  在圖1所示的電路中,左上角部分為折彎點(diǎn)(foldback point)校正單元。該部分電路的功能是在MOSFET導(dǎo)通期間,從腳RZI流出一個(gè)電流,電流源CS4提供的0.5mA的電流被扣除,所得到的電流I4乘以0.2(即為I3),被饋送到IC的PCS腳,從而增加PCS腳外部電容的充電電壓斜率。當(dāng)AC線路電壓升高時(shí),MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間縮短,輸出功率保持不變。主線電壓通過(guò)Vcc偏置繞組并經(jīng)連接在腳RZI上的一支電阻來(lái)檢測(cè)。

  在腳RZI內(nèi)部,門限電平5V和4.4V的比較器用于初級(jí)調(diào)整,門限電平1V和50mV的比較器分別是振鈴抑制時(shí)間比較器和過(guò)零信號(hào)比較器。

  在圖1的右上角是計(jì)數(shù)器、定時(shí)器和比較器組成的數(shù)字頻率降低電路以及反相輸入端為VRM=4.8V與VRH=4.4V并帶VRH鎖定的比較器和反相輸入端VRL=3.5V并帶VRL鎖定的比較器。

  在圖1的中央是軟啟動(dòng)和通—斷(on-off)觸發(fā)器。軟啟動(dòng)觸發(fā)器通過(guò)通—斷觸發(fā)器的上升沿(并利用沿檢測(cè)器ED1)置位。通—斷觸發(fā)器通過(guò)反相輸入端15V的比較器(圖1左下方)置位。該比較器上面是20V的Vcc過(guò)電壓比較器,下面是14 、5V和9V的欠電壓比較器。IC腳PCS內(nèi)部電阻R2連接一個(gè)開(kāi)關(guān),該開(kāi)關(guān)由一個(gè)與門輸出控制,與門的輸入來(lái)自通—斷觸發(fā)器的輸出。在開(kāi)關(guān)接通時(shí),腳PCS外部電容放電到1.5V。當(dāng)進(jìn)入PCS腳的電流低于100μA時(shí),在主線欠電壓比較器輸出產(chǎn)生一個(gè)低電平輸出信號(hào)。該輸出信號(hào)經(jīng)一個(gè)與門和或門電路置位脈沖鎖定觸發(fā)器,與門的另一個(gè)輸入是接通時(shí)間觸發(fā)器的反相輸出。

  位于圖1中間下方的是突發(fā)觸發(fā)器和脈沖鎖定觸發(fā)器。突發(fā)觸發(fā)器由IC腳SRC內(nèi)的2V比較器輸出置位。突發(fā)觸發(fā)器的輸出,連接到脈沖鎖定觸發(fā)器的置位輸入。脈沖鎖定觸發(fā)器的輸出,影響接通時(shí)間觸發(fā)器的復(fù)位輸入。接通時(shí)間觸發(fā)器的輸出,連接到IC腳OUT內(nèi)的輸出緩沖器。脈沖鎖定觸發(fā)器也可由20V的過(guò)電壓比較器置位。

  IC腳SRC內(nèi)部的電流源CS1為SRC腳外部電容器提供500μA的放電電流。與CS1并聯(lián)的電流源CS2,通過(guò)軟啟動(dòng)觸發(fā)器激活。CS2的電流通過(guò)50ms定時(shí)器控制逐步改變,以此為軟啟動(dòng)產(chǎn)生上升的調(diào)節(jié)電壓。

  一個(gè)20kΩ的上控電阻R1下端在內(nèi)部連接到SRC腳,上端通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到5V的參考電壓。該開(kāi)關(guān)由一個(gè)觸發(fā)器的輸出控制,該觸發(fā)器通過(guò)接通時(shí)間觸發(fā)器的輸出下降沿置位,以產(chǎn)生振鈴抑制時(shí)間。接通時(shí)間觸發(fā)器由過(guò)零信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)與門復(fù)位,該與門的另一個(gè)輸入是下部第二個(gè)觸發(fā)器的輸出。當(dāng)RZ1腳上的脈沖高度超過(guò)4.4V的門,第二個(gè)觸發(fā)器置位。

  在圖1右上部的數(shù)字頻率減小電路中,4位加/減(UP/DOWN)計(jì)數(shù)器的寄存數(shù)決定變壓器退磁后的過(guò)零信號(hào)數(shù)。過(guò)零信號(hào)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)輸入過(guò)零信號(hào),并由一個(gè)比較器檢測(cè)和放大。只要過(guò)零計(jì)數(shù)器存儲(chǔ)數(shù)與加/減計(jì)數(shù)器存儲(chǔ)數(shù)相等,比較器就發(fā)送一個(gè)輸出信號(hào)至接通時(shí)間觸發(fā)器,從而使功率MOSFET導(dǎo)通。為避免抖動(dòng),加/減計(jì)數(shù)器的存儲(chǔ)數(shù)僅在50ms定時(shí)器確定的每個(gè)50ms周期之后加1或減1改變,這種變化取于VRH和VRL鎖存狀態(tài)。如果兩個(gè)鎖存處于低態(tài),計(jì)數(shù)器增加1。如果僅VRL鎖定置位,加/減計(jì)數(shù)器仍不變化。如果VRL和VRH被置位于高電平,加/減計(jì)數(shù)器減少1。在此之后VRH與VRL鎖定被復(fù)位。在接下來(lái)的50ms內(nèi),VRH與VRL鎖存將再次置位。當(dāng)IC腳SRC上電壓VSRC<3.5V時(shí),VRL鎖定置位,加/減計(jì)數(shù)器加1;當(dāng)VSRC>4.4V時(shí),VRH鎖定置位,加/減計(jì)數(shù)器減1。在一個(gè)大的負(fù)載跳躍這后,為能迅速調(diào)節(jié)到的功率電平上,只要VSRC>4.8V時(shí),加/減計(jì)數(shù)器被置位到1(0001)。



  
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