鍵控式調(diào)光臺(tái)燈電路
出處:xyf1984 發(fā)布于:2008-01-16 00:00:00 | 1612 次閱讀
鍵控式調(diào)光臺(tái)燈 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
鍵控式調(diào)光臺(tái)燈利用兩個(gè)輕觸式按鍵調(diào)光,當(dāng)輕觸其中一個(gè)按鍵時(shí),光線將由強(qiáng)變?nèi)?,輕觸另一個(gè)按鍵時(shí),光線便會(huì)由弱變強(qiáng)。 工作原理 ![]() 電路原理見圖1(點(diǎn)此下載原理圖),VD1、VD2、C2、C3組成電容降壓式直流電源,由MOS場效應(yīng)管、C1等組成雙向可控硅VS的觸發(fā)電路。DW為保護(hù)二極管,防止場效應(yīng)管柵極擊穿。當(dāng)按下S1時(shí),由R1向C1充電,使柵極電壓上升,可可控硅的觸發(fā)電流上升,導(dǎo)通角變大,光線增加,當(dāng)按下S2時(shí),C1沿R2放電,柵極電壓下降,可控硅的導(dǎo)通角變小,光線變暗。當(dāng)S1、S2都放開時(shí),由于MOS場效應(yīng)管的柵源電阻很大,C1兩端的電壓將基本不變,所以可控硅的導(dǎo)通角也將不變,光線穩(wěn)定下來。 元器件選擇與制作 元器件清單見下表。
場效應(yīng)管JF的IDSS≥5mA,BVDS≥15V,可控硅VS選用1A/400V即可,如3CTS1A等。其它元件無特殊要求,具體數(shù)值已標(biāo)在圖(表)中。電阻R1、R2的數(shù)值決定了電容C1的充放電時(shí)間。在制作時(shí),若光線變化太快時(shí),應(yīng)適當(dāng)增大R1、R2的數(shù)值,反之應(yīng)減小。 |
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