采用光耦驅(qū)動(dòng)芯片實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用方案

光耦驅(qū)動(dòng)芯片HCPL-316J是Agilent公司［編者注：2014年8月更名為keysight（是德）公司］生產(chǎn)的柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)品之一，可用于驅(qū)動(dòng)150A/1200V的IGBT，開(kāi)關(guān)速度為0.5s，有過(guò)流...

時(shí)間：2022-05-26 閱讀：845 關(guān)鍵詞：IGBT

利用隔離DC／DC轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長(zhǎng)

由于IGBT小電流轉(zhuǎn)換大功率的能力，在電源中已是不可或缺的一部分。在不同類型的電路應(yīng)用中，IGBT已成了首選的解決方案，如變頻器。隨著電力費(fèi)用的不斷上漲，變頻器可以有效...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-05-25 閱讀：355 關(guān)鍵詞：DC／DC轉(zhuǎn)換器

詳解三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法

本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要...

時(shí)間：2018-08-21 閱讀：866 關(guān)鍵詞：IGBT,驅(qū)動(dòng)電路,單片機(jī)

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：　　IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2017-06-05 閱讀：1470 關(guān)鍵詞：IGBT,功率器件

三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解

導(dǎo)讀： 本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2016-01-04 閱讀：48524 關(guān)鍵詞：IGBT驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)方法

基于HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

摘要：在較復(fù)雜的變流系統(tǒng)中，主控系統(tǒng)的延滯會(huì)影響IGBT模塊故障保護(hù)的時(shí)效性，造成保護(hù)失敗。針對(duì)這種情況，本文采用光耦驅(qū)動(dòng)芯片HCPL-316J和DSP芯片設(shè)計(jì)了一種IGBT驅(qū)動(dòng)電...

時(shí)間：2015-08-28 閱讀：4956 關(guān)鍵詞：基于HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

一種基于HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

摘要：在較復(fù)雜的變流系統(tǒng)中，主控系統(tǒng)的延滯會(huì)影響IGBT模塊故障保護(hù)的時(shí)效性，造成保護(hù)失敗。針對(duì)這種情況，本文采用光耦驅(qū)動(dòng)芯片HCPL-316J和DSP芯片設(shè)計(jì)了一種IGBT驅(qū)動(dòng)電...

時(shí)間：2015-08-12 閱讀：13003 關(guān)鍵詞：一種基于HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

IGBT的概念是20世紀(jì)80年代初期提出的。IGBT具有復(fù)雜的集成結(jié)構(gòu)，它的工作頻率可以遠(yuǎn)高于雙極晶體管。IGBT已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的主流。在10～100 kHz的中高壓大電流的范...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2011-09-22 閱讀：22812 關(guān)鍵詞：一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IR2110應(yīng)用于IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MO...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2011-08-26 閱讀：39116 關(guān)鍵詞：IGBT電路驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路

多路輸出IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

摘要:介紹了大功率IGBT的驅(qū)動(dòng)原理及工作特性，設(shè)計(jì)了一種高可靠可維護(hù)具有四路驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出的高電壓大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路，給出了電路的原理圖和關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)原理及相關(guān)波形...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2011-03-15 閱讀：4073 關(guān)鍵詞：多路輸出IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)

分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素

0 引言　　IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于...

分類：模擬技術(shù) 時(shí)間：2011-03-01 閱讀：8069 關(guān)鍵詞：分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素驅(qū)動(dòng)電路