NMOS 與 PMOS 晶體管的原理、差異及應(yīng)用

在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）宛如一對(duì)默契配合的 “電子開關(guān)”，精準(zhǔn)掌...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-07-15 閱讀：297 關(guān)鍵詞：NMOS PMOS

深入剖析 LDO 中 NMOS 與 PMOS 的差異特性

在低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的設(shè)計(jì)中，MOS 管扮演著至關(guān)重要的角色，它作為調(diào)整元件，通過(guò)改變自身的導(dǎo)通電阻來(lái)維持輸出電壓的穩(wěn)定。其工作原理是：當(dāng)輸出電壓發(fā)生變化時(shí)，...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-06-04 閱讀：304 關(guān)鍵詞： LDO

全面剖析 LDO 原理，對(duì)比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差異

在電子電路設(shè)計(jì)中，電壓穩(wěn)定是保障設(shè)備正常運(yùn)行的關(guān)鍵因素之一。LDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）作為一種重要的電源管理元件，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用。本文將深入探討 LD...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-05-13 閱讀：1012 關(guān)鍵詞：PMOS LDO NMOS LDO

PMOS適合作為高端驅(qū)動(dòng)，NMOS適合作為低端驅(qū)動(dòng)

低端驅(qū)動(dòng)：MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過(guò)負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時(shí)，S處于一個(gè)不能確定的電位...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-07-13 閱讀：2329 關(guān)鍵詞：電子

推出最小60V NMOS--DMN6070SFCL

導(dǎo)讀：Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的最小60V NMOS--DMN6070SFCL.　　新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,并采用了DFN16...

分類：其它 時(shí)間：2014-06-27 閱讀：1234 關(guān)鍵詞：全球推出最小60V NMOS--DMN6070SFCLDiodes 功率MOSFET DMN6070SFCL

基于PD SOI工藝的高壓NMOS器件工藝研究

摘 要：由于PD SOI工藝平臺(tái)的特殊性，P阱濃度呈現(xiàn)表面低、靠近埋氧高的梯度摻雜。常規(guī)體硅的高壓N管結(jié)構(gòu)是整個(gè)有源區(qū)在P阱里的，需要用高能量和大劑量的P注入工藝將漂移區(qū)...

分類：其它 時(shí)間：2013-08-07 閱讀：6571 關(guān)鍵詞：基于PD SOI工藝的高壓NMOS器件工藝研究PD SOI工藝高壓NMOS器件工藝