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PN結(jié)

什么是PN結(jié),PN結(jié)的知識(shí)介紹

PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體連接而成的界面或接觸區(qū)域,是半導(dǎo)體器件中最基本的結(jié)構(gòu)之一。PN結(jié)的形成和行為是半導(dǎo)體物理中的重要內(nèi)容,廣泛應(yīng)用于二極管、晶體管等電子器件。  1. P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體  P型半...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2025-03-26 閱讀:462 關(guān)鍵詞:PN結(jié)

PN結(jié)的三種狀態(tài)應(yīng)用電路

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2024-05-09 閱讀:0

PN結(jié)作為整流器

無(wú)線電晶體或方鉛礦形式的天然半導(dǎo)體早已為人所知。水晶收音機(jī)在無(wú)線電早期非常流行。無(wú)線電探測(cè)器主要采用方鉛礦,這是一種結(jié)晶礦物,是硫化鉛(一種非金屬)的天然形式。...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2024-03-19 閱讀:709 關(guān)鍵詞:PN結(jié)

PN結(jié)二極管知識(shí)大全

當(dāng) p 型半導(dǎo)體熔合到 n 型半導(dǎo)體時(shí)形成 PN 結(jié)二極管,從而在二極管結(jié)上產(chǎn)生勢(shì)壘電壓。 PN 結(jié)二極管由 p 區(qū)和 n 區(qū)組成,由存儲(chǔ)電荷的耗盡區(qū)隔開(kāi),如果我們將 N 型和 P ...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-15 閱讀:1137 關(guān)鍵詞: PN結(jié)二極管

PN結(jié)的基礎(chǔ)知識(shí)

N型材料與P型材料的結(jié)合形成二極管,會(huì)形成PN結(jié),那么是怎么形成的呢? 硅摻雜少量銻時(shí),就是 N 型半導(dǎo)體材料,當(dāng)硅材料摻雜少量硼時(shí),會(huì)形成 P 型半導(dǎo)體材料。 本身他們的作用都很小,通俗一點(diǎn)講就是中性的,...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2023-06-15 閱讀:957 關(guān)鍵詞:PN結(jié)

測(cè)量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關(guān)系

目標(biāo) 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目的是測(cè)量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關(guān)系。 背景知識(shí) PN結(jié)電容 增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會(huì)導(dǎo)致連接處電荷的重新分配,形成耗盡區(qū)或耗盡...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2022-07-28 閱讀:516 關(guān)鍵詞:PN結(jié)

一文詳解肖特基二極管和PN結(jié)二極管的選型

二極管選型相對(duì)簡(jiǎn)單,相信每個(gè)硬件工程師,都有對(duì)比過(guò)肖特基二極管與PN結(jié)二極管的差異。 差異無(wú)非有以下結(jié)果: 表中參數(shù),看看就好,并不嚴(yán)格,知道二者之間的相對(duì)大小就行了。 了解了上面參數(shù),基本就知...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2021-05-10 閱讀:918 關(guān)鍵詞:一文詳解肖特基二極管和PN結(jié)二極管的選型肖特基二極管

實(shí)驗(yàn):PN結(jié)電容與電壓的關(guān)系

PN結(jié)電容  增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會(huì)導(dǎo)致連接處電荷的重新分配,形成耗盡區(qū)或耗盡層(圖1中的W)。這個(gè)耗盡層充當(dāng)電容的兩個(gè)導(dǎo)電板之間的絕緣體。這個(gè)W層的厚度與施加的電場(chǎng)和摻雜濃度呈函數(shù)關(guān)系。PN結(jié)電容分...

分類:其它 時(shí)間:2019-11-25 閱讀:802 關(guān)鍵詞:電容

二極管的PN結(jié)介紹

純凈半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素,形成的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體根據(jù)摻入的雜質(zhì)元素的不同,可以分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。二極管有PN結(jié),采用不同的摻雜工藝,通過(guò)...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2017-09-13 閱讀:2419 關(guān)鍵詞:二極管的PN結(jié)介紹

pn結(jié)的形成-形成PN結(jié)的原理

PN結(jié)及其形成過(guò)程  在雜質(zhì)半導(dǎo)體中, 正負(fù)電荷數(shù)是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性?! ?、載流子的濃度差產(chǎn)生的多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)  在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后,在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2008-10-21 閱讀:10918 關(guān)鍵詞:pn結(jié)的形成-形成PN結(jié)的原理

半導(dǎo)體pn結(jié)物理特性-pn結(jié)二極管的單向?qū)щ娦?></a>
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半導(dǎo)體pn結(jié)物理特性-pn結(jié)二極管的單向?qū)щ娦?/b>

PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴 N結(jié)在外加電壓的作用下,動(dòng)態(tài)平衡將被打破,并顯示出其單向?qū)щ姷奶匦??! ?、外加正向電壓  當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向相反,內(nèi)電場(chǎng)變?nèi)酰Y(jié)果使空間電荷區(qū)(PN結(jié))變窄...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-10-21 閱讀:10835 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體pn結(jié)物理特性-pn結(jié)二極管的單向?qū)щ娦?/span>

pn結(jié)二極管-pn結(jié)擊穿電壓

pn結(jié)二極管兩端加上反向電壓時(shí),反向電流很小,當(dāng)反向電壓逐漸增加時(shí),反向電流基本保持不變,這時(shí)的電流稱為反向飽和電流。不同材料的pn結(jié)二極管,反向電流大小不同,硅管約為1微安到幾十微安,鍺管則可高達(dá)數(shù)百微...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-10-21 閱讀:4559 關(guān)鍵詞:pn結(jié)二極管-pn結(jié)擊穿電壓

PN結(jié)的構(gòu)成

把一塊半導(dǎo)體硅片或鍺片,通過(guò)一定的工藝方法,一邊做成P型半導(dǎo)體,另一邊做成N型半導(dǎo)體,在兩者交界處就會(huì)形成一個(gè)薄層,這個(gè)薄層就是PN結(jié),如圖一(a)所示"這個(gè)PN結(jié)有一個(gè)很特別的性能,就是有單方向?qū)щ姷哪芰Α!?..

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2008-04-22 閱讀:3076 關(guān)鍵詞:PN結(jié)的構(gòu)成PN結(jié)

二極管的PN結(jié)

二極管是一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體緊密地結(jié)合在一起而構(gòu)成的。在它們的交界面上形成一個(gè)界面,這個(gè)界面就稱PN結(jié)。如圖3-47所示。在P型與N型半導(dǎo)體上各加上一根引線,然后進(jìn)行封裝,便構(gòu)成一個(gè)二極管。其P型半導(dǎo)...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2008-04-07 閱讀:4433 關(guān)鍵詞:二極管的PN結(jié)

PN結(jié)相關(guān)知識(shí)介紹

均勻摻雜的半導(dǎo)體只有很少的應(yīng)用。幾乎所有的固態(tài)器件都是由多個(gè)P型和N型區(qū)域組合而成。P型和N型區(qū)域之間的交界面就被稱為PN結(jié),或簡(jiǎn)單的稱為結(jié)。 .8A中是兩片硅。左邊是一塊P型硅,右邊則是一塊N型硅。只要他們之間...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:1941 關(guān)鍵詞:PN結(jié)相關(guān)知識(shí)介紹

PN結(jié)耗盡區(qū)研究

結(jié)兩邊過(guò)剩的少數(shù)載流子有2個(gè)效應(yīng)。個(gè),載流子建立了一個(gè)電場(chǎng)。N型硅中過(guò)剩的空穴使它帶正電,P型硅中過(guò)剩的電子則使它帶負(fù)電。這樣就沿著PN結(jié)建立了一個(gè)N區(qū)高電位,P區(qū)低電位的電場(chǎng)。 當(dāng)載流子沿著結(jié)擴(kuò)散時(shí),同時(shí)產(chǎn)...

分類:電源技術(shù) 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:4321 關(guān)鍵詞:PN結(jié)耗盡區(qū)研究

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