第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-17 閱讀：4831 關(guān)鍵詞：功率MOS管
第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-10 閱讀：418 關(guān)鍵詞：MOS管
DY種：雪崩破壞 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。 在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-11-09 閱讀：358 關(guān)鍵詞：圖解功率MOS管的損壞MOS管
開(kāi)關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來(lái)驅(qū)動(dòng)功率MOS管
作為一名電源研發(fā)工程師，自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的工程師對(duì)芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁(yè)面，按照推薦設(shè)計(jì)搭建...
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2020-07-08 閱讀：1209 關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來(lái)驅(qū)動(dòng)功率MOS管開(kāi)關(guān)電源,MOS管
MOS管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率MOS管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡(jiǎn)單的，變得更加復(fù)雜。這幾年來(lái)一直做高頻電源設(shè)計(jì)，也...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-06-04 閱讀：615 關(guān)鍵詞：大小功率MOS管的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)MOS管
種：雪崩破壞 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。 在介...
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2016-10-12 閱讀：10391 關(guān)鍵詞：功率MOS管的五種損壞模式詳解
分析功率MOS管RDS負(fù)溫度系數(shù)對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)的影響
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是...
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2011-08-27 閱讀：6452 關(guān)鍵詞：MOS管開(kāi)關(guān)
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