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標準cmos工藝怎么做二極管？ |
| 作者：entertest 欄目：IC設(shè)計 |
標準CMOS工藝怎么做二極管？該二極管一端接Vdd，一端外接電容 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： hunt_seu 于 2005/3/7 19:59:00 發(fā)布：
re 如果是N-WELL工藝，在N-WELL中做P+，同時做N+接觸，P+接VDD，N+接外接電容就可以形成P+N， |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/3/8 7:01:00 發(fā)布：
PWELL工藝比較好辦，NWELL工藝麻煩 使用P+DIFF - NWELL節(jié)，充電時相當(dāng)部分電流跑到襯底去了。 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2005/3/8 9:30:00 發(fā)布：
我們用的就是hunt_seu說的 我們用的就是hunt_seu說的工藝結(jié)構(gòu)，但是有很大很大（98％）的一部分電流流到襯底了，通過二極管的電流很小很小（2％）。不知道怎么改善。 asunmad說的Pwell好像也存在這個相同的問題，只是襯底分的電流比例要小一些。 我現(xiàn)在只能用Psub－Nwell工藝做二極管，井深和濃度都不能調(diào)節(jié)，是給定的，怎么進行改進啊 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： hunt_seu 于 2005/3/8 19:30:00 發(fā)布：
re 是的，我說的這種做法只能做電源到地（襯底）的二級管，如果要要實現(xiàn)你所說的只能是P-WELL工藝或雙-WELL工藝 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： sjb21ic 于 2005/3/8 21:49:00 發(fā)布：
這個問題好久之前我就和另一個人討論過的，結(jié)論同entertest 個人意見：一端接Vdd的話，只能用n襯底，p井，n注入，且n襯底和p井相連，結(jié)果作為正向的二極管使用。其它的只能反向用。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： entertest 于 2005/3/9 15:57:00 發(fā)布：
這樣可以改進嗎？ 如果用Psub－Nwell工藝，能不能將Nwell中的Nactive和Pactive靠在一起（當(dāng)然這樣通不過DRC），我想這樣的話，通過橫向PN結(jié)的電流就大點，自然通過縱向PN結(jié)流到襯底的分流就會少點。但不知道這樣做有沒有效果？ |
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