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FGD3N60UNDF

更新時間:2025-05-19 00:48:06

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FGD3N60UNDF 概述

FGD3N60UNDF是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款高壓MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓Vds為600V，適合在高壓電路中使用。典型應用場景包括電源適配器、LED驅動器、電機控制以及工業(yè)電源系統。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，能夠在緊湊設計中實現高效率的能量轉換。在實際應用中，建議根據具體需求選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保PCB布局合理以改善散熱效果。此外，在進行電路設計時應注意遵循制造商推薦的額定值和工作條件，避免超出最大額定參數范圍。

FGD3N60UNDF 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
6 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
9 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.52V @ 15V，3A
功率 - 最大值
60 W
開關能量
52μJ（開），30μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
1.6 nC
25°C 時 Td（開/關）值
5.5ns/22ns
測試條件
400V，3A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
21 ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252AA

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廣東微爾科技有限公司

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FGD3N60LSD
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