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帶有此標(biāo)記的料號(hào)：
1. 表示供應(yīng)商具有較高市場(chǎng)知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經(jīng)維庫(kù)認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。
2. 供應(yīng)商承諾此料號(hào)是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實(shí)際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎(jiǎng)勵(lì)您500元。
2700
TO247/19+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
3000
TO2473/23+
可信任的汽車芯片代理現(xiàn)貨與生產(chǎn)技術(shù)方案商
FGH30N60LSDTU
3000
TO2473/23+
可信任的汽車芯片代理現(xiàn)貨與生產(chǎn)技術(shù)方案商
FGH30N60LSDTU
80000
TO247/23+
原裝現(xiàn)貨
FGH30N60LSDTU
2700
TO247/19+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
FGH30N60LSD
4284
NA//23+
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
FGH30N60LSD
20000
TO263(D3PAK)/22+
奧利騰只做原裝正品，實(shí)單價(jià)優(yōu)可談
FGH30N60LSD
22358
TO247/22+
房間現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)。
FGH30N60LSD
173330
TO247/24+
原裝不僅銷售也回收
FGH30N60LSD
22500
TO247/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價(jià)好給你
FGH30N60LSD
20000
SOIC/2024+
13%原裝
FGH30N60LSD
52701
TO247/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
FGH30N60LSD
20000
TO247/19+
原裝現(xiàn)貨特價(jià)
FGH30N60LSD
3000
TO247/-
特價(jià)批量支持
FGH30N60LSD
68900
TO247/-
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
FGH30N60LSD
30000
TO247/2022+
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，原裝 假一罰十
FGH30N60LSD
105000
TO247/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
FGH30N60LSD
29078
-/-
現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進(jìn)口件，服務(wù)型企業(yè)
FGH30N60LSD
26500
TO2473/25+23+
汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢(shì)渠道商、原盤原包原盒
FGH30N60LSD
86222
TO2473/2024+
一站式BOM配單,原廠代理渠道現(xiàn)貨商。
FGH30N60LSD
Low saturation voltage: VCE(sat) =1....
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FGH30N60LSDPDF下載
FGH30N60LSDTU
Low saturation voltage: VCE(sat) =1....
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FGH30N60LSDTUPDF下載
圖2：mosfet全橋 這應(yīng)用采用了600v的功率開關(guān)，故600v超結(jié)mosfet非常適合這個(gè)高速的開關(guān)器件。由于這些開關(guān)器件在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)會(huì)承受其它器件的全部反向恢復(fù)電流，因此快速恢復(fù)超結(jié)器件如600v fch47n60f是十分理想的選擇。它的rds(on) 為73毫歐，相比其它同類的快速恢復(fù)器件其導(dǎo)通損耗很低。當(dāng)這種器件在50hz下進(jìn)行轉(zhuǎn)換時(shí)，無需使用快速恢復(fù)特性。這些器件具有出色的dv/dt和di/dt特性，比較標(biāo)準(zhǔn)超結(jié)mosfet可提高系統(tǒng)的可靠性。 另一個(gè)值得探討的選擇是采用fgh30n60lsd器件。它是一顆飽和電壓vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其關(guān)斷損耗 eoff非常高，達(dá)10mj ，故只適合于低頻轉(zhuǎn)換。一個(gè)50毫歐的mosfet在工作溫度下導(dǎo)通阻抗rds(on) 為100毫歐。因此在11a時(shí)，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于這種igbt基于較舊的擊穿技術(shù)，vce(sat) 隨溫度的變化不大。因此，這種igbt可降低輸出橋中的總體損耗，從而提高逆變器的總體效率。 fgh30n60lsd igbt在每半周期從一種功率轉(zhuǎn)換技術(shù)切換到
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