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fga15n120ftd中文資料

  • 飛兆發(fā)布全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd和fga15n120ftd，為電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了高效的解決方案。這些igbt同時(shí)采用field stop(場(chǎng)截止)結(jié)構(gòu)和抗雪崩的trench gate(溝道柵)技術(shù)，可在傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡，從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可減小25% 的導(dǎo)通損耗、8%的開(kāi)關(guān)損耗，并大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低，系統(tǒng)可靠性得以增強(qiáng)，系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān)(zvs)技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管(frd)，進(jìn)一步提高了可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的fga20n120ftd和fga15n120ftd一致的參數(shù)參數(shù)分布已經(jīng)增強(qiáng)的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導(dǎo)體創(chuàng)新的field stop結(jié)構(gòu)和專(zhuān)有的先進(jìn)trench gate單元設(shè)計(jì)的成果。 fga20n120ftd和fga15n120ftd的主要特性包括

  • 飛兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件問(wèn)世

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，為電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了高效的解決方案。這些igbt同時(shí)采用field stop (場(chǎng)截止) 結(jié)構(gòu)和抗雪崩的trench gate (溝道柵) 技術(shù)，可在傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡，從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可減小25% 的導(dǎo)通損耗、8%的開(kāi)關(guān)損耗，并大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低，系統(tǒng)可靠性得以增強(qiáng)，系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān)(zvs)技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管(frd)，進(jìn)一步提高了可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的參數(shù)參數(shù)分布已經(jīng)增強(qiáng)的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導(dǎo)體創(chuàng)新的field stop結(jié)構(gòu)和專(zhuān)有的先進(jìn)trench gate單元設(shè)計(jì)的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n120f

  • 飛兆半導(dǎo)體Field Stop Trench IGBT 提高感應(yīng)加熱應(yīng)用效率并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，為電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了高效的解決方案。這些igbt同時(shí)采用field stop (場(chǎng)截止) 結(jié)構(gòu)和抗雪崩的trench gate (溝道柵) 技術(shù)，可在傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡，從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可減小25% 的導(dǎo)通損耗、8% 的開(kāi)關(guān)損耗，并大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低，系統(tǒng)可靠性得以增強(qiáng)，系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān) (zvs) 技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管 (frd)，進(jìn)一步提高了可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的參數(shù)參數(shù)分布已經(jīng)增強(qiáng)的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導(dǎo)體創(chuàng)新的field stop結(jié)構(gòu)和專(zhuān)有的先進(jìn)trench gate單元設(shè)計(jì)的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n1

  • 飛兆推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

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  • 飛兆半導(dǎo)體的Field Stop Trench IGBT提高感應(yīng)加熱應(yīng)用的效率并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

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  • 飛兆推出新IGBT系列器件 增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

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FGA15N120ANTD FG456 FG12 FFPF15S60S FFPF08S60S FFPF08H60S FFPF04S60S FFP30S60S FFP15S60S FFP08S60S

FGA20N120FTD FGA25N120 FGA25N120AND FGA25N120ANTD FGB3040CS FGD2N40L FGH30N60LSD FGH40N6S2D FGK125 FGK60N6S2D

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