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當(dāng)前位置:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>ffp08s60s 更新時(shí)間:2025-09-02 19:05:34

ffp08s60s供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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ffp08s60s中文資料

  • 基于提高太陽(yáng)能逆變器的轉(zhuǎn)換效率的解決方案

    ,該二極管不會(huì)導(dǎo)通。然而,在啟動(dòng)期間或瞬變情況下,升壓電路有可能被驅(qū)使進(jìn)入工作模式,這時(shí)該反并聯(lián)二極管就會(huì)導(dǎo)通。由于igbt本身沒有固有的體二極管,故需要這種共封裝的二極管來保證可靠的工作。 對(duì)升壓二極管,需要stealth? 或碳硅二極管這樣的快速恢復(fù)二極管。碳硅二極管具有很低的正向電壓和損耗。不過目前它們的價(jià)格都很高昂。 在選擇升壓二極管時(shí),必須考慮到反向恢復(fù)電流 (或碳硅二極管的結(jié)電容) 對(duì)升壓開關(guān)的影響,因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致額外的損耗。在這里,新推出的 stealth ii 二極管 ffp08s60s可以提供更高的性能。當(dāng)vdd=390v、 id=8a、di/dt=200a/us,且外殼溫度為 100?c時(shí),計(jì)算得出的開關(guān)損耗低于ffp08s60s的參數(shù)205mj。而采用isl9r860p2 stealth 二極管,這個(gè)值則達(dá) 225mj。故此舉也提高了逆變器在高開關(guān)頻率下的效率。 iii. 用于橋接和專用級(jí)的開關(guān)和二極管 濾波之后,輸出橋產(chǎn)生一個(gè)50hz的正弦電壓及電流信號(hào)。一種常見的實(shí)現(xiàn)方案是采用標(biāo)準(zhǔn)全橋結(jié)構(gòu) (圖2)。圖中若左上方和右下方的開關(guān)導(dǎo)通,則在左右終端之間加載一個(gè)

  • 飛兆推出全新FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二極管

    飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源(smps)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力(tb/ta>1.3)和極短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm(連續(xù)電流模式)功率因數(shù)校正(pfc)設(shè)計(jì)中改善emi和mosfet開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<35ns @ 600v擊穿電壓)和很低的前向電壓降(vf<2.1v),有助于在dcm(不連續(xù)電流模式)pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet及superfet mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,并且相輔相成。這一產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案,可以提高lcd tv電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率和可靠性,并同時(shí)降低emi。

  • Fairchild 推出功率器件解決方案

    飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源 (smps) 應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力 (tb/ta > 1.3) 和極短的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm (連續(xù)電流模式) 功率因數(shù)校正 (pfc) 設(shè)計(jì)中改善emi 和 mosfet開關(guān)損耗。 同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 35ns @ 600v擊穿電壓) 和很低的前向電壓降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不連續(xù)電流模式) pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,

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  • 飛兆半導(dǎo)體推出完整的功率器件解決方案實(shí)現(xiàn)高效、可靠的低噪聲LCD TV電源設(shè)計(jì)

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ffp08s60s替代型號(hào)

FFP04S60S FFH30S60S FFH15S60S FFFF FFAF40U60DN FF450R17ME3 FF400R12KS4 FF400R12KE3 FF300R12KE3 FF150R12KS4

FFP15S60S FFP30S60S FFPF04S60S FFPF08H60S FFPF08S60S FFPF15S60S FG12 FG456 FGA15N120ANTD FGA15N120FTD

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