FFP08S60SNTU
50000
TO220/23+
原裝現(xiàn)貨
FFP08S60SNTU
50000
TO220/23+
原裝現(xiàn)貨
FFP08S60S
50000
TO2202/2025+
固電半導(dǎo)體,33年國(guó)產(chǎn)工廠,可替代進(jìn)口
FFP08S60STU
60
TO220/20+
只做原裝現(xiàn)貨
FFP08S60S
80000
TO220AC/25+
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存,支持訂貨可開發(fā)票。
FFP08S60S
20000
TQFP/2024+
17%原裝.深圳送貨
FFP08S60S
16800
to200F/22+
全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十
FFP08S60S
105000
TO251/23+
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單
FFP08S60S
52701
to200F/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
FFP08S60S
1191
TO220/2022+
原裝現(xiàn)貨
FFP08S60S
16800
to200F/22+
全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十
FFP08S60S
6500
TO220AC/23+
只做原裝現(xiàn)貨
FFP08S60S
852200
TO220/1932+
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
FFP08S60S
5000
TO2202/2025+
國(guó)產(chǎn)品牌isc,替代進(jìn)口
FFP08S60S
1191
TO220/2020+
原裝現(xiàn)貨
FFP08S60S
540030
TO220/22+
十年配單,只做原裝
FFP08S60S
9000
DO41/25+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
FFP08S60S
9000
to200/2015+
深圳原包裝現(xiàn)貨庫(kù)存假一賠十
FFP08S60S
18850
TO220/19+
專營(yíng)三極管質(zhì)量保證
FFP08S60S
4269
NA//23+
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
,該二極管不會(huì)導(dǎo)通。然而,在啟動(dòng)期間或瞬變情況下,升壓電路有可能被驅(qū)使進(jìn)入工作模式,這時(shí)該反并聯(lián)二極管就會(huì)導(dǎo)通。由于igbt本身沒有固有的體二極管,故需要這種共封裝的二極管來保證可靠的工作。 對(duì)升壓二極管,需要stealth? 或碳硅二極管這樣的快速恢復(fù)二極管。碳硅二極管具有很低的正向電壓和損耗。不過目前它們的價(jià)格都很高昂。 在選擇升壓二極管時(shí),必須考慮到反向恢復(fù)電流 (或碳硅二極管的結(jié)電容) 對(duì)升壓開關(guān)的影響,因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致額外的損耗。在這里,新推出的 stealth ii 二極管 ffp08s60s可以提供更高的性能。當(dāng)vdd=390v、 id=8a、di/dt=200a/us,且外殼溫度為 100?c時(shí),計(jì)算得出的開關(guān)損耗低于ffp08s60s的參數(shù)205mj。而采用isl9r860p2 stealth 二極管,這個(gè)值則達(dá) 225mj。故此舉也提高了逆變器在高開關(guān)頻率下的效率。 iii. 用于橋接和專用級(jí)的開關(guān)和二極管 濾波之后,輸出橋產(chǎn)生一個(gè)50hz的正弦電壓及電流信號(hào)。一種常見的實(shí)現(xiàn)方案是采用標(biāo)準(zhǔn)全橋結(jié)構(gòu) (圖2)。圖中若左上方和右下方的開關(guān)導(dǎo)通,則在左右終端之間加載一個(gè)
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源(smps)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力(tb/ta>1.3)和極短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm(連續(xù)電流模式)功率因數(shù)校正(pfc)設(shè)計(jì)中改善emi和mosfet開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<35ns @ 600v擊穿電壓)和很低的前向電壓降(vf<2.1v),有助于在dcm(不連續(xù)電流模式)pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet及superfet mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,并且相輔相成。這一產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案,可以提高lcd tv電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率和可靠性,并同時(shí)降低emi。
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源 (smps) 應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力 (tb/ta > 1.3) 和極短的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm (連續(xù)電流模式) 功率因數(shù)校正 (pfc) 設(shè)計(jì)中改善emi 和 mosfet開關(guān)損耗。 同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 35ns @ 600v擊穿電壓) 和很低的前向電壓降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不連續(xù)電流模式) pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出全新Stealth II和Hyperfast II二極管技術(shù),作為其專為L(zhǎng)CD TV開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II...
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth ii 和 hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源 (smps) 應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力 (tb/ta > 1.3) 和極短的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm (連續(xù)電流模式) 功率因數(shù)校正 (pfc) 設(shè)計(jì)中改善emi 和 mosfet開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr < 35ns @ 600v擊穿電壓) 和很低的前向電壓降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不連續(xù)電流模式) pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet 及 superfet mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,并且相輔相成。這一龐大的產(chǎn)品組合提供了完整的解
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源(smps)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力(tb/ta > 1.3)和極短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr < 25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm(連續(xù)電流模式)功率因數(shù)校正(pfc)設(shè)計(jì)中改善emi和mosfet開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr < 35ns @ 600v擊穿電壓)和很低的前向電壓降(vf < 2.1v),有助于在dcm(不連續(xù)電流模式)pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet及superfet mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,并且相輔相成。這一龐大的產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案,可以提高lcd tv電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率和可
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二極管技術(shù),作為其專為lcd tv開關(guān)電源(smps)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件解決方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二極管具有出色的軟恢復(fù)能力(tb/ta>1.3)和極短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<25ns @ 600v擊穿電壓)。這些特性非常適合于在ccm(連續(xù)電流模式)功率因數(shù)校正(pfc)設(shè)計(jì)中改善emi和mosfet開關(guān)損耗。同時(shí)推出的還有ffpf08h60s hyperfast ii二極管,具有很快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr<35ns @ 600v擊穿電壓)和很低的前向電壓降(vf<2.1v),有助于在dcm(不連續(xù)電流模式)pfc設(shè)計(jì)中減小傳導(dǎo)損耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技術(shù)的開發(fā)是要與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的unifet及superfet mosfet技術(shù)系列相結(jié)合,并且相輔相成。這一產(chǎn)品組合提供了完整的解決方案,可以提高lcd tv電源設(shè)計(jì)的系統(tǒng)效率和可靠性,并同時(shí)降低em