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IXFH10N100P

更新時間:2025-05-29 01:23:12

供應商
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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IXFH10N100P外觀圖

IXFH10N100P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXFH10N100P 概述

IXFH10N100P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為10A，在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。這款MOSFET常用于電源管理、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在電路設計中，建議使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確保可靠開關操作，并根據(jù)具體應用選擇合適的散熱方案。由于其較高的擊穿電壓，特別適合高壓側(cè)開關應用，但需注意控制柵極電壓不超過額定值，以免損壞器件。

IXFH10N100P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Polar™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 歐姆 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3030pF @ 25V
功率 - 最大
380W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件
其它名稱
Q4374359

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