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STD40NF03LT4

更新時間:2025-06-12 04:37:11

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STD40NF03LT4外觀圖

STD40NF03LT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD40NF03LT4 概述

STD40NF03LT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它具有低導通電阻和高電流能力的特點，適用于多種功率管理應用。該MOSFET的最大漏極 - 源極電壓為30V，在25°C時連續(xù)漏極電流可達40A。其柵極 - 源極閾值電壓范圍為1V至2.5V，方便在低壓電路中使用。常見應用場景包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關等。在電機驅(qū)動應用中，它可以高效地控制電機的啟停與轉(zhuǎn)速。若用于直流 - 直流轉(zhuǎn)換器，應注意合理設計柵極驅(qū)動電路以確?？焖倏煽康拈_關操作，并且要充分考慮散熱設計避免過熱損壞。例如，在一個降壓轉(zhuǎn)換器電路中，可以將該MOSFET作為控制開關，連接電感、電容等元件組成完整的轉(zhuǎn)換電路。

STD40NF03LT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD40NF03L View All Specifications
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1440pF @ 25V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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