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FQB2N80TM

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FQB2N80TM外觀圖
圖像僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

標(biāo)準(zhǔn)包裝:800

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:QFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 特點:標(biāo)準(zhǔn)型

漏極至源極電壓(Vdss):800V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:2.4A

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.3 歐姆 @ 900mA,10V

 更多參數(shù)信息

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