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主營內(nèi)存.閃存全系列 ,歡迎咨詢
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行業(yè)十年,價(jià)格超越代理, 支持權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測
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高密度NAND Flash存儲(chǔ)器:符合大容量存儲(chǔ)應(yīng)用;NAND接口:×8總線寬度,多路復(fù)用地址/數(shù)據(jù)總線引腳兼容; 電源電壓:3.3V設(shè)備Vcc=2.7~3.6V; 存儲(chǔ)器單元陣列:(2K+64)字節(jié)×64頁×1024塊,(1K+32)字×64頁×1024塊; 頁面大?。海?K+64備用的)字節(jié);時(shí)鐘大?。海?28K+4K各用的)字節(jié); 頁面讀/編程:隨機(jī)存?。?7μs(最大值),順序存?。?0ns(最小值),頁編程時(shí)間:300μs(典型值); 復(fù)制回編程模式:不受外界緩沖的快速頁面復(fù)制;高速緩存編程模式:改善編程吞吐量的內(nèi)部高速緩存; 快速塊擦除:塊擦除時(shí)間:2ms(典型值); 電子特性:制造商代碼,設(shè)備代碼;芯片使能隨意選項(xiàng):具有微控制器的簡單接口; 硬件數(shù)據(jù)保護(hù):在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除被鎖定;數(shù)據(jù)的完整性:100000次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留;封裝:48引腳的TSOP和WSOP封裝,63引腳的FBGA封裝
arm讀寫nand flash出現(xiàn)問題,請(qǐng)教大家我使用的nand flash是現(xiàn)代的hy27uf081g2m,與三星的k9f1g08u0a管腳一樣。但是無法讀出正確的id號(hào),下面我給出了電路連接關(guān)系和源程序,大家?guī)臀曳治龇治?,不甚感激。電路圖連接關(guān)系如下: arm的d[0:7]---nand flash的d[0:7] arm的讀信號(hào)/rd---nand flash的讀信號(hào)/rd arm的寫信號(hào)/wr---nand flash的讀信號(hào)/wr arm的選通信號(hào)/cs2---nand flash的片選信號(hào)/cs arm的gpio1---nand flash的信號(hào)r/b arm的地址信號(hào)a2--nand flash的信號(hào)ale arm的地址信號(hào)a1--nand flash的信號(hào)cle對(duì)應(yīng)的操作地址: 命令輸入:0x04000002 地址輸入:0x04000004 數(shù)據(jù)操作:0x04000000源代碼:int8u nf_readbyte(){ int8u ret; ret=*((volatile int8u*)(0x04000000)); return r