AT45DB021B在電力參數(shù)監(jiān)測中的應(yīng)用

at45db021b在電力參數(shù)監(jiān)測中的應(yīng)用 西北工業(yè)大學(xué)自動化學(xué)院 梅曉東 概述在智能電力設(shè)備中，往往要對電網(wǎng)的一些歷史數(shù)據(jù)進行記錄，以便更好的了解電網(wǎng)的運行狀況，因此需要一個大容量、接口方式簡單的存儲器，at45db021系列是一個較好的選擇。at45db021b是264kbyte串行接口可編程閃速存儲器，該器件具有spi串行接口，可以方便的與單片機和微機通訊，同時還具有體積小、存儲量大、電壓低等優(yōu)點。主要特性at45db021b的主要特點如下：1．單電源供電（2.7v-3.6v），spi串行接口符合spi標準；2．具有264kbyte主存儲器，1024頁，每頁264字節(jié)；3．低功耗，4ma的典型讀電流，休眠電流2 a；4．20mhz的最大時鐘頻率，具有硬件寫保護功能；5．帶有雙264 字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖器，可在對主存儲區(qū)操作同時對緩沖區(qū)寫入或讀取數(shù)據(jù)；6．具有多種封裝形式。本文采用8管腳的soic封裝形式，具有體積小的優(yōu)勢，其封裝外形見圖1及引腳功能見表1。工作原理at45db021b主存儲區(qū)共分1024頁（page），每頁264字節(jié)，共2,162,688位，此外，還有2個sra

基于MSP430F12x2的SPI數(shù)據(jù)存儲器擴展

頁、每頁264個字節(jié)，共計8 mb的主存儲器容量以及2個264字節(jié)的sram數(shù)據(jù)緩存器。支持在系統(tǒng)重復(fù)編程，不需要較高的編程電壓，只需要芯片的工作電壓2．7～3．6 v就可以完成對flash的讀寫操作。at45db081通過一個三線接口(包含串行輸入si、串行輸出so、串行時鐘sck)在片選信號的配合下進行訪問。這種串行接口flas[{存儲器十分適用于要求存儲量大而引腳資源較少、電源電壓低和低功耗的應(yīng)用領(lǐng)域。 ３ at45db081的操作及操作碼 對at45db021b的操作是由主機發(fā)出的指令控制，一個有效的指令在 的下降沿開始，包括一個8位的操作碼和要進行操作的頁地址和緩沖區(qū)地址的位置。表1列出了at45db021b的主要的操作方式和對應(yīng)的操作碼。 (1) 狀態(tài)存儲器 他是at45db021b內(nèi)的一個8位的只讀存儲器，用于指示其工作狀況，bit7用于顯示at45db021b的狀態(tài)，bit7位＝1時，說明at45db021b不忙，可以對其進行指令操作，bit7位＝0時，指示at45db021b忙，可以通過檢測bit

AT45DB021B在電力參數(shù)監(jiān)測中的應(yīng)用

概述

在智能電力設(shè)備中，往往要對電...

AT45DB021B

單2.7～3.6V電壓；串行外設(shè)接口（SPI）兼容；20MHz的最高時鐘頻率；頁編程操作：單周期再編程（擦除和編程），1024頁（264字節(jié)/頁）主存儲器；支持頁和塊擦除操作；2個264字節(jié)SRAM數(shù)據(jù)緩沖器，允許接收數(shù)據(jù)，當非易失性存儲再編程時；通過翼個陣列連續(xù)讀能力：理想的代碼跟蹤應(yīng)用；低功耗：典型的4mA工作讀電流，典型的2μACMOS待機電流；硬件數(shù)據(jù)保護功能；100%兼容AT45DB021和AT45DB021A；5.0V容錯輸入：SI，SCK，CS，RESET和WP引腳；商業(yè)級和工業(yè)級溫度范圍

AT45DB021B的問題

at45db021b的問題今天整了一天也沒有讀出數(shù)據(jù)，不是00就是ff，不知道是不是一開始不小心連到了5v時燒了片子，硬件電路方面，rst、wp都接高電平，單片機的so接flash的si，單片機的si接flash的so，sck連接，rdy引腳沒有連接任何io口，3.3v供電。（如果連到5v，會不會燒掉??？）sck的脈沖能不能用示波器看到？如果看到是不是代表數(shù)據(jù)傳送成功rdy電平?jīng)]有變化，是不是說明flash沒有存儲或者發(fā)送數(shù)據(jù)希望高手能夠指點一二，大師有沒有這個flash的例程相贈啊，email：zhengzhijie@sina.com