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國(guó)產(chǎn)全新長(zhǎng)期有貨質(zhì)優(yōu)價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
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現(xiàn)貨原裝
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擇,由于本變換器的電 流過大,故采用多股細(xì)線并繞的方式。 在輸出端用的是同步整流技術(shù),在低電壓大電流功率變換器中,若采用傳統(tǒng)的普通二 極管或肖特基二極管整流由于其正向?qū)▔航荡?低壓硅二極管正向壓降約0.7v,肖特基二 極管正向壓降約0.45v,新型低電壓肖特基二極管可達(dá)0.32v),整流損耗成為變換器的主要 損耗,無法滿足低電壓大電流開關(guān)電源高效率,小體積的需要。mosfet導(dǎo)通時(shí)的伏安特性為 一線性電阻,稱為通態(tài)電阻ds r ,低壓mosfet新器件的通態(tài)電阻很小,如: irf2807(75v,82a)、irl2910(100v,55a)通態(tài)電阻分別為0.013ω、0.o26ω,它們?cè)谕ㄟ^20a 電流時(shí),通態(tài)壓降不到0.2v。另外,功率mosfet開關(guān)時(shí)間短,輸入阻抗高,這些特點(diǎn)使得mosfet 成為低電壓大電流功率變換器首選整流器件。mosfet的柵-源問的硅氧化層耐壓有限,一旦 被擊穿則永久損壞,所以實(shí)際上柵-源電壓最大值在50-75v之間,如電壓超過75v,應(yīng)該在柵 極上接穩(wěn)壓管.并從成本綜合考慮,選用irf2807。需要特別指出的是圖中mos管做為整流 管的接法,有,
式和銅線選擇,由于本變換器的電 流過大,故采用多股細(xì)線并繞的方式。 在輸出端用的是同步整流技術(shù),在低電壓大電流功率變換器中,若采用傳統(tǒng)的普通二 極管或肖特基二極管整流由于其正向?qū)▔航荡?低壓硅二極管正向壓降約0.7v,肖特基二 極管正向壓降約0.45v,新型低電壓肖特基二極管可達(dá)0.32v),整流損耗成為變換器的主要 損耗,無法滿足低電壓大電流開關(guān)電源高效率,小體積的需要。mosfet導(dǎo)通時(shí)的伏安特性為 一線性電阻,稱為通態(tài)電阻 rds ,低壓mosfet新器件的通態(tài)電阻很小,如: irf2807(75v,82a)、irl2910(100v,55a)通態(tài)電阻分別為0.013ω、0.o26ω,它們?cè)谕ㄟ^20a 電流時(shí),通態(tài)壓降不到0.2v。另外,功率mosfet開關(guān)時(shí)間短,輸入阻抗高,這些特點(diǎn)使得mosfet 成為低電壓大電流功率變換器首選整流器件。 mosfet的柵-源問的硅氧化層耐壓有限,一旦 被擊穿則永久損壞,所以實(shí)際上柵-源電壓最大值在50-75v之間,如電壓超過75v,應(yīng)該在柵 極上接穩(wěn)壓管.并從成本綜合考慮,選用irf2807。需要特別指出的是圖中mos管做為整流 管的接
如圖所示為12v轉(zhuǎn)15v、16v、18v、20v、22v、24v可調(diào)升壓電路圖,改變一下電阻,即可改變成15v、16v、18v、20v、22v、24v等不同類型電壓值。l1用直徑2cm的磁環(huán),1.7的聚酯漆包線緊密穿繞35匝,然后用硅橡膠密封,否則容易產(chǎn)生滋滋聲。同時(shí)還要注意線路的走向,否則也會(huì)產(chǎn)生滋滋聲和因走線產(chǎn)生的自激引起場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱和損壞,有條件的可以用uc3843的貼片元件。l2可用廢舊的節(jié)能燈上的磁環(huán)緊密繞制,無特殊要求。 mos1可用75nf75、60n06、irf2807(電瓶車控制器里面的功率管)。 此電路可在15--24v之間任意選擇,如走線合理,元器件選擇合理一般無須調(diào)試即可正常工作。 來源:qick
改變一下電阻,即可改變成15v、16v、18v、20v、22v、24v等不同類型電壓值。 l1用直徑2cm的磁環(huán),1.7的聚酯漆包線緊密穿繞35匝,然后用硅橡膠密封,否則容易產(chǎn)生滋滋聲。 同時(shí)還要注意線路的走向,否則也會(huì)產(chǎn)生滋滋聲和因走線產(chǎn)生的自激引起場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱和損壞,有條件的可以用uc3843的貼片元件。 l2可用廢舊的節(jié)能燈上的磁環(huán)緊密繞制,無特殊要求。 mos1可用75nf75、60n06、irf2807(電瓶車控制器里面的功率管)。 此電路可在15--24v之間任意選擇,如走線合理,元器件選擇合理一般無須調(diào)試即可正常工作。 來源:柒色7