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用于下一代分布電源結(jié)構(gòu)的直流總線變換器和負載點電源模塊技術(shù)
約96.4%的效率。圖1顯示了48v直流輸入的原理圖，它可用于36到75v輸入電壓寬范圍、220w直流總線變換器電路。在初級，ir2085s 控制器和驅(qū)動器ic 驅(qū)動兩個irf6644 低電荷directfet封裝功率mosfet，它是100v 的n-溝道功率mosfet。初級的偏置電壓通過一個線性穩(wěn)壓器來獲得，并用于啟動，然后在穩(wěn)態(tài)下由變壓器獲得。irf7380，是雙80v n-溝道功率mosfet，集成在so-8封裝內(nèi)，被用于獲得該功能。在次級，新穎的30v n-溝道irf6612 或irf6618 directfet封裝功率mosfet用于自驅(qū)動的同步整流拓撲結(jié)構(gòu)中。對于12v輸出應(yīng)用來說，新型的40v n-溝道irf6613 可用作同步整流mosfet，這個單元在小于1/8磚的外形達到了超過96%的效率，跟傳統(tǒng)相比，效率大約高出3-5%，體積減少了50%，是完全穩(wěn)壓的、板上安裝的功率變換器。在比較直流總線變換器的directfet封裝與標準的so-8產(chǎn)品的性能時，這里有一些重要的結(jié)果。so-8產(chǎn)品由于熱能力的原因限制功率在150w，除此之外， so-8產(chǎn)品經(jīng)常并聯(lián)使用。
分布式電源系統(tǒng)中直流母線電壓變換器的選擇與應(yīng)用
使用控制器和驅(qū)動器集成電路ir2085s，它推動兩只 irf7493 型fet晶體管───這是新一代低電荷、80 v的n型溝道m(xù)osfet功率晶體管，它采用so-8封裝。在輸入電壓為36 v至75 v時，這只 fet 晶體管可以換成100v的irf7495fet 晶體管。在啟動時，原邊的偏置電壓是由一只線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生，在穩(wěn)態(tài)時，則由變壓器產(chǎn)生原邊偏置電壓。irf7380中包含兩個80v的 n型溝道 mosfet功率晶體管，采用so-8封裝，就是用于在穩(wěn)態(tài)時產(chǎn)生原邊偏置電壓。 irf6612或者 irf6618──這是使用directfet封裝的新型30v、 n型溝道 mosfet功率晶體管，可以用于副邊的自驅(qū)動同步整流電路。 directfet 半導(dǎo)體封裝技術(shù)實際上消除了mosfet晶體管的封裝電阻，最大程度地提高了電路的效率，處于導(dǎo)通狀態(tài)時的總電阻很小。利用directfet 封裝技術(shù)，它到印刷電路板的熱阻極小，大約是1°c/w，directfet器件的半導(dǎo)體結(jié)至頂部（外殼）的熱阻大約是 1.4°c/w。 irf6612 或者irf6618的柵極驅(qū)動電壓限制在最優(yōu)的數(shù)值7.5

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