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基于TMS320F2812的中低壓電機保護系統(tǒng)
便只占用了4 個i/0 口，達到合理有效的使用f2812 片上資源的目的。12 路開出量，主要用于各種故障的跳合閘和報警使用。本系統(tǒng)采用由12 個i/o 口發(fā)出開出量信號，為了防止干擾引起的誤動，另外提供了1 個i/0 口實現(xiàn)對開出信號的開放與閉鎖功能。只有當開出信號開放時，開出量再經(jīng)過達林頓型（un2003）光電隔離后輸出，驅動外部繼電器，實現(xiàn)保護出口動作。 2.1.3 外擴存儲模塊為了滿足系統(tǒng)運行、參數(shù)定值保存、故障錄波和故障報警信息記錄的要求。該裝置外擴了一片64m 的閃存（k9k1208uom）和256k 的ram（is61lv25616l）。f2812 的外部存儲器接口xintf 是一種非多路選通的異步總線。它包括：19 位地址線，16 位數(shù)據(jù)線，3 個片選控制線及讀寫控制線。這3 個片選線映射到5 個存儲區(qū)域，zone0,zone1,zone2,zone6和zone7.其中zone0,zone1 共用一個片選線，zone6 和zone7 共用一個片選線。且每個區(qū)都有獨立的等待狀態(tài)、選通信號建立和保持時間，都能通過編程實現(xiàn)設置。這便可使f2812 與一些外部存儲器之間實現(xiàn)無縫連接
閃速存儲器技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
兆字節(jié)1美元的價格限制。（4）芯片包含有失效塊，其數(shù)目最大可達到3~35塊（取決于存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 samsung公司在1999年底開發(fā)出世界上第一顆1gb nand技術閃速存儲器。據(jù)稱這種flash memory可以存儲560張高分辨率的照片或32首cd質量的歌曲，將成為下一代便攜式信息產(chǎn)品的理想媒介。samsung采用了許多dram的工藝技術，包括首次采用0.15μm的制造工藝來生產(chǎn)這顆flash。已經(jīng)批量生產(chǎn)的k9k1208uom采用018μm工藝，存儲容量為512mb。 ultranand amd與fujistu共同推出的ultranand技術，稱之為先進的nand閃速存儲器技術。它與nand標準兼容：擁有比nand技術更高等級的可靠性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現(xiàn)出nand技術的成本優(yōu)勢；它沒有失效塊，因此不用系統(tǒng)級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。與dinor技術一樣，盡管ultranand技術具有優(yōu)勢，但在當前的市場上仍以nand技術為主流。ultranand 家族的

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