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當(dāng)前位置：維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>k9k1g08u0m 更新時(shí)間:2025-10-15 14:40:03

k9k1g08u0m供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • K9K1G08U0M-PCBO

  • 12500

  • SAMSUNG/三星

  • TSOP48/2025+

  • 全新原裝，一級(jí)代理價(jià)格優(yōu)勢(shì)，可長(zhǎng)期訂貨

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k9k1g08u0m價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià)：￥0.0000 歷史最高報(bào)價(jià)：￥0.0000 歷史平均報(bào)價(jià)：￥0.0000

k9k1g08u0m中文資料

  • 基于XCR3032的大容量FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

    摘 要： 提出一種使用xilinx 公司生產(chǎn)的低功耗cpld芯片xcr3032來(lái)實(shí)現(xiàn)微控制器與大容量fl ash存儲(chǔ)器相接口的方法。文中在介紹xcr3032 cpld和flash存儲(chǔ)器k9k1g08u0m的基礎(chǔ)上，給 出了接口電路、工作原理和verilog hdl實(shí)現(xiàn)方法。 關(guān)鍵詞：xcr3032；flash存儲(chǔ)器；k9k1g08u0m；verilog hdl flash存儲(chǔ)器（flash memory）是非易失存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對(duì)存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。flash存儲(chǔ)器具有工 作電壓低、擦寫(xiě)速度快、功耗低、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點(diǎn)。近年 來(lái)，flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)代碼存儲(chǔ)和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文 介紹了使用xcr3032實(shí)現(xiàn)k9k1g08u0m與微控制器的接口原理，給出了veriloghd l實(shí)現(xiàn)程序。對(duì)大容量flash存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)具有一定的參考價(jià)值。 1xcr3032 xcr3032是xilinx公司生產(chǎn)的coolrunner xpla3系列cpld。他具有如下特

  • NAND FLASH 調(diào)研和選型

    因素 1、頁(yè)數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁(yè)越多、頁(yè)越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。但這個(gè)時(shí)間的延長(zhǎng)不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512mb、1gb的需要4個(gè)周期，而2、4gb的需要5個(gè)周期。 2、頁(yè)容量 每一頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁(yè)有更好的性能。前面提到大容量閃存（4gb）提高了頁(yè)的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁(yè)容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說(shuō)明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁(yè)容量，隨機(jī)讀（穩(wěn)定）時(shí)間12μs，寫(xiě)時(shí)間為200μs；后者為4gb，2kb頁(yè)容量，隨機(jī)讀（穩(wěn)定）時(shí)間25μs，寫(xiě)時(shí)間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能 nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器（隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間）→數(shù)據(jù)傳出（每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次）。 k9k1g08u0m讀一個(gè)頁(yè)需要： 5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+（512+16）

  • 閃存芯片

    些？ 1．頁(yè)數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁(yè)越多、頁(yè)越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。但這個(gè)時(shí)間的延長(zhǎng)不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512mb、1gb的需要4個(gè)周期，而2、4gb的需要5個(gè)周期。 2．頁(yè)容量 每一頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁(yè)有更好的性能。前面提到大容量閃存(4gb)提高了頁(yè)的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁(yè)容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說(shuō)明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間12μs，寫(xiě)時(shí)間為200μs；后者為4gb，2kb頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間25μs，寫(xiě)時(shí)間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能：nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器(隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m讀一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50

  • K9K1G08U0M

    K9K1G08U0M引腳圖 電源電壓：Vcc＝2.7—3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲(chǔ)器單元陣列：,(128M+4096K)X8位﹐數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：(512+16)X8位； 自動(dòng)編程和擦除：頁(yè)編程：(512+16)字節(jié)﹐塊擦除：(16K+512)字節(jié)； 528字節(jié)頁(yè)讀操作：隨機(jī)存?。?2μs(最大值)，串行訪問(wèn)：50ns (最小值)； 快速寫(xiě)周期時(shí)間：編程時(shí)間：200μs(典型值),塊擦除時(shí)間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護(hù)：在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中編程/擦除鎖定； 可靠的 CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)﹐100k次編程/擦除周期﹐10年的數(shù)據(jù)保留 時(shí)間； 指令存儲(chǔ)器操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝； 同時(shí)4頁(yè)/塊編程/擦除

  • 基于XCR3032的大容量FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

    摘 要： 提出一種使用xilinx 公司生產(chǎn)的低功耗cpld芯片xcr3032來(lái)實(shí)現(xiàn)微控制器與大容量fl ash存儲(chǔ)器相接口的方法。文中在介紹xcr3032 cpld和flash存儲(chǔ)器k9k1g08u0m的基礎(chǔ)上，給 出了接口電路、工作原理和verilog hdl實(shí)現(xiàn)方法。 關(guān)鍵詞：xcr3032；flash存儲(chǔ)器；k9k1g08u0m；verilog hdl interface design of mass flash memory based on xcr3032 men yabin， han jiaxin (national ocean technology center,tianjin, 300111, china) abstract： this paper puts forward an interface method of mass flash memory based on ultra low power cpld chip xcr3032 manufactured by xilinx. after introduced th e xcr3032 cpld chip

  • 什么影響閃存的性能？NAND型閃存技術(shù)特

    1．頁(yè)數(shù)量 越大容量閃存的頁(yè)越多、頁(yè)越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。但這個(gè)時(shí)間的延長(zhǎng)不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。譬如128、256mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512mb、1gb的需要4個(gè)周期，而2、4gb的需要5個(gè)周期。 2．頁(yè)容量 每一頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁(yè)有更好的性能。前面提到大容量閃存(4gb)提高了頁(yè)的容量，從512字節(jié)提高到2kb。頁(yè)容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說(shuō)明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m為例，前者為1gb，512字節(jié)頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間12μs，寫(xiě)時(shí)間為200μs；后者為4gb，2kb頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間25μs，寫(xiě)時(shí)間為300μs。假設(shè)它們工作在20mhz。 讀取性能：nand型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器(隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m讀一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k9k1g08u0

k9k1g08u0m替代型號(hào)

K9K1208UOM K9K1208U0M K9GAG08U0D K9G8G08UOA K9G8G08 K9F6408U0A K9F6408 K9F5616U0C K9F5616Q0C K9F5616Q0B-DIB0

K9K1G08U0M-YCB0 K9K1G08UOM-YCB0 K9K2G08 K9K2G08U0A K9K2G08U0M-FCB0 K9K2G08U0M-PCB0 K9K2G08U0M-PIB0 K9K2G08U0M-VCB0 K9K2G08U0M-VIB0 K9K2G08U0M-YIB0

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