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NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲中的應(yīng)用
便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用c／s模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問題。目前大多采用ide硬盤或scsi硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積小等優(yōu)點(diǎn)，尤其能夠在惡劣的環(huán)境下正常工作。隨著nand flash容量不斷增大，選擇nand flash作為嵌入式數(shù)據(jù)存儲已成為一種趨勢。本文以三星公司的k9t1g08u0m為例，設(shè)計了基于大容量nand flash的網(wǎng)絡(luò)存儲系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有速度快、安全可靠、易擴(kuò)展、抗震和抗干擾能力強(qiáng)、使用溫度范圍寬等特點(diǎn)，可方便的用于安全監(jiān)控、生產(chǎn)數(shù)據(jù)記錄、航行數(shù)據(jù)記錄等方面，具有廣闊的應(yīng)用前景。 2 nand flash k9t1g08u0m k9t1g08u0m是一塊1 056 mbit的nandflash存儲器，262 144行(page)×528列，其存儲結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中512列至527列間是備用區(qū)。一個528字節(jié)的數(shù)據(jù)寄存器附在存儲單元陣列用于頁讀取和頁寫入

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