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用前就足壞塊,需要在初次使用時(shí)進(jìn)行壞塊檢測并標(biāo)記,禁止數(shù)據(jù)寫入,由于存儲(chǔ)器每一塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)都是相互獨(dú)立的,壞塊并不影響系統(tǒng)的操作。 在設(shè)計(jì)nand flash文件系統(tǒng)前,首先要了解其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。目前市面上的nand flash芯片單片容量已高達(dá)lgb,存儲(chǔ)器容量最高達(dá)4gb(由4片1gb的芯片封裝而成)。知名的nand flash制造商有samsung、tashiba等公司。下面以samsung公司的k9wag08ulm為例,說明大容量nand flash芯片的組織結(jié)構(gòu)。在k9wag08u1m中,頁(page)是最基本的組織單位。每頁有2048+64=2112字節(jié),64頁構(gòu)成一個(gè)塊。(block),每塊的容量是(2048+64)×64=(128kb+4kb),芯片共8192塊,總存儲(chǔ)容量為(128kb+4kb)×8192=lgb+32mb。存儲(chǔ)器每頁帶有64字節(jié)的冗余字節(jié)。整個(gè)芯片共計(jì)32 mb的冗余空間,用于存放塊信息和ecc校驗(yàn)碼等。 2 fiash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) 目前嵌入式設(shè)備的flash文件系統(tǒng)主要有3種:m-systems公司的t
電源電壓:Vcc=2.7~3.6V; 結(jié)構(gòu):存儲(chǔ)器單元陣列:(1G+32M)×8位,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:(2K+64)×8位; 自動(dòng)編程和擦除:頁編程:(2K+64)字節(jié),塊擦除:(128K+4K)字節(jié); 頁讀操作:頁大小:(2K64)字節(jié),隨機(jī)存?。?0μs(最大值),串行訪問:25ns(最小值); 快速寫周期時(shí)間:編程時(shí)間:200μs(典型值),塊擦除時(shí)間:1.5ms(典型值); 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口; 硬件數(shù)據(jù)保護(hù):在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定; 可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù),100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間; 指令存儲(chǔ)器操作; 封裝:48引腳的TSOP封裝,52引腳的TLGA封裝