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NTHC5513T1G
50000
SMD8/23+
原裝現(xiàn)貨
NTHC5513T1G
9000
SOT238/23+
原裝現(xiàn)貨QQ373621633
NTHC5513T1G
150
SOT8/05+PB
原裝現(xiàn)貨，假一賠十
NTHC5513
41001
ChipFET8/24+
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
NTHC5513
26500
ChipFET8/25+23+
汽車IC原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒
NTHC5513
6607
-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨
NTHC5513
23412
-/23+
提供一站式配單服務(wù)
NTHC5513
8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
NTHC5513
8300
-/22+
原裝現(xiàn)貨，配單小能手
NTHC5513
20123
SOT283/20+
全新原裝進口現(xiàn)貨特價熱賣，長期供貨
NTHC5513
5000
-/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
NTHC5513
5000
ChipFET8/24+
原廠直銷，提供技術(shù)支持
NTHC5513
8000
22+/NA
-
NTHC5513
5000
A/N/22+
一站式配單，只做原裝
NTHC5513
5000
ChipFET8/22+
只做原裝
NTHC5513T1
9200
-/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
NTHC5513T1
25000
CHIPFET/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
NTHC5513T1
8000
ChipFET/25+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
NTHC5513T1
41800
-/24+
原裝現(xiàn)貨，可開專票，提供賬期服務(wù)
NTHC5513T1
7600
12068/22+
原裝
NTHC5513
Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Co...
ON SEMICONDUCTOR
NTHC5513PDF下載
NTHC5513-D
Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Co...
ON Semiconductor
NTHC5513-DPDF下載
NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
NTHC5513T1GPDF下載
能量。 在單個fet開關(guān)基礎(chǔ)上稍作修改而成的負載開關(guān)有micrel公司的mic94053器件，它把上拉柵極電阻器與6v、2a的pmos fet組合成一體。該器件采用sc-70-6封裝，售價0.38美元（批量1,000件），在-4.5v和-100ma時形成一個84mw的溝道。250kw的最小上拉電阻可以保證在加電期間該器件處于截止狀態(tài)，除非驅(qū)動電路在此期間主動使該器件導通。上拉電阻還使人們能夠借助于集電極開路邏輯電路對該開關(guān)進行控制，從而可在某些應(yīng)用場合不需使用電平轉(zhuǎn)換器。 安森美半導體公司的nthc5513將nmos器件和pmos器件組裝在同一個8腳chipfet封裝中，其中的nmos器件可以用作反相器或反相電平移動器（圖1b），當然用法不限于此。nmos fet和pmos fet的導通電阻均不到1w，柵極電荷為6nc。雖然大部分功率半導體器件已把pmos溝道電阻降到遠遠低于1w，但在售價為0.29美元（批量1萬件）的5513中，nmos仍然領(lǐng)先于pmos--nmos器件溝道電阻為75mw，而pmos器件則為155mw。 驅(qū)動問題 從溝道電阻的角度來看，人們可能會偏愛n溝道器件，但在高壓側(cè)開關(guān)
產(chǎn)品型號:NTHC5513T1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):20
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏極電流Id(on)(A):3.900
通道極性:N/P溝道
封裝/溫度(℃):ChipFET/-55~150
描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET
價格/1片(套):￥2...
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