STW7N95K3
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TO247/23+
原裝,授權(quán)代理
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2000
TO2473/22+
只做原裝 支持實(shí)單
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3000
TO247/2303+
不上現(xiàn)貨排名,有價(jià)格優(yōu)勢(shì),照樣拿單,上具體批次,只...
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45000
17+/25+
原裝認(rèn)證有意請(qǐng)來(lái)電或QQ洽談
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5000
TO2473/-
有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨,提供配單服務(wù)
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18000
TO247/24+
品牌專營(yíng)公司現(xiàn)貨特價(jià)支持原裝進(jìn)口假一賠十支持
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240
20+/-
原裝正品現(xiàn)貨假一罰十ST全系列訂貨
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5000
TO2473/25+
提供BOM一站式配單服務(wù)
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TO2473/24+
大量現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
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全新原裝現(xiàn)貨,長(zhǎng)期供應(yīng),免費(fèi)送樣
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20000
TSSOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
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公司現(xiàn)貨,進(jìn)口原裝熱賣
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TSSOP/23+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
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12500
TO2473/24+
16年老牌企業(yè) 原裝低價(jià)現(xiàn)貨
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5000
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支持BOM一站配單
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53650
TO247/2025+
一級(jí)代理,原裝假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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9000
TO2473/2024+
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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96500
TO2473/2025+
一級(jí)代理品牌,價(jià)格優(yōu)勢(shì),原廠原裝,量大可以發(fā)貨訂
STW7N95K3
5000
TO247/2025+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員 可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢(shì)歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。 來(lái)源:風(fēng)中的葉子
sfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可 以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢(shì)歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3™技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢(shì)歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開(kāi)關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢(shì)歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。