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                            Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
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                        一項(xiàng)——正向通態(tài)損耗,其中ifrms為正向電流有效值; rds(on)——功率mos管的通態(tài)電阻; 第二項(xiàng)——開關(guān)過程中功率mos管輸入電容cin充放電引起的損耗,其中f為開關(guān)頻率; cin——等效輸人電容; ugs——門極驅(qū)動(dòng)電壓。 由式(7-5)可知,sr的功耗與rds(on)和cin有關(guān),在工程上用兩者的乘積表示sr的損耗大?。?式中,k為損耗因數(shù),單位為nf·mω。以vishay公司生產(chǎn)的sum110n04-02l同步整流管為例,其阻斷電壓為40v,額定電流為110a,輸人電容約為7.3 nf,結(jié)溫為125℃時(shí)的通態(tài)電阻不大于3.7 mo,κ=27 nf·mω。 為了減小通態(tài)電阻。可以將幾個(gè)低壓功率mos管并聯(lián)組成sr。但在高頻時(shí),多管并聯(lián)后寄生電容也成倍增大,因而輸入電容的充、放電引起的損耗也將大幅增加。 歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)(udpf.com.cn) 來源:ks99
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