電磁治療儀 二
出處：kkkkdan 發(fā)布于：2008-09-16 00:00:00 | 3950 次閱讀
電路工作原理
該電磁治療儀電路由超低頻振蕩器、磁脈沖產(chǎn)生電路和電源電路組成，如圖9-14所示。
超低頻振蕩器電路由時基集成電路IC、電阻器Rl、R2、電位器RP、電容器Cl、C2和二極管VDl組成。
磁脈沖產(chǎn)生電路由電阻器R3、晶體管V二極管VD2和電磁線圈L組成。
電源電路由電源開關(guān)S、電池GB、限流電阻器R4和電源指示發(fā)光二極管VL組成。
接通電源開關(guān)S，GB的6V直流電壓在供給超低頻振蕩器和磁脈沖產(chǎn)生電路的同時，還經(jīng)R4限流降壓后將VLA亮。
超低頻振蕩器通電后振蕩工作，從IC的3腳輸出頻率可調(diào)的超低頻振蕩信號，使V間歇導(dǎo)通。在IC的3腳輸出高電平時，V飽和導(dǎo)通，L因有電流流過而產(chǎn)生磁場;在lC的3腳輸出低電平時，V截止，「中存儲的電能經(jīng)VD2快速泄放。這樣，隨著V間歇地導(dǎo)通，L即可產(chǎn)生脈沖磁場。
調(diào)節(jié)RP的阻值，可改變超低頻振蕩器的振蕩頻率，即改變此脈沖的頻率。
元器件選擇
Rl-R4選用1/4W的碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
RP選用小型有機(jī)實心電位器。
Cl和C3選用耐壓值為16V的鋁電解電容器;C2選用獨石電容器或滌綸電容器。
VDl選用1N4148型硅開關(guān)二極管;VD2選用1N4007型硅整流二極管。
V選用3DK4型硅NPN晶體管。
lC選用NE555型時基集成電路。
S選用觸頭電流容量大于2A的小型單極開關(guān)。
GB選用6V的小容量免維護(hù)蓄電池，也可使用小型直流穩(wěn)壓電源。
L使用φO.lmm左右的漆包線在φOmmx3Omm的磁棒上繞4200匝左右后制成。
該電磁治療儀電路由超低頻振蕩器、磁脈沖產(chǎn)生電路和電源電路組成，如圖9-14所示。
超低頻振蕩器電路由時基集成電路IC、電阻器Rl、R2、電位器RP、電容器Cl、C2和二極管VDl組成。
磁脈沖產(chǎn)生電路由電阻器R3、晶體管V二極管VD2和電磁線圈L組成。
電源電路由電源開關(guān)S、電池GB、限流電阻器R4和電源指示發(fā)光二極管VL組成。
接通電源開關(guān)S，GB的6V直流電壓在供給超低頻振蕩器和磁脈沖產(chǎn)生電路的同時，還經(jīng)R4限流降壓后將VLA亮。
超低頻振蕩器通電后振蕩工作，從IC的3腳輸出頻率可調(diào)的超低頻振蕩信號，使V間歇導(dǎo)通。在IC的3腳輸出高電平時，V飽和導(dǎo)通，L因有電流流過而產(chǎn)生磁場;在lC的3腳輸出低電平時，V截止，「中存儲的電能經(jīng)VD2快速泄放。這樣，隨著V間歇地導(dǎo)通，L即可產(chǎn)生脈沖磁場。
調(diào)節(jié)RP的阻值，可改變超低頻振蕩器的振蕩頻率，即改變此脈沖的頻率。
元器件選擇
Rl-R4選用1/4W的碳膜電阻器或金屬膜電阻器。
RP選用小型有機(jī)實心電位器。
Cl和C3選用耐壓值為16V的鋁電解電容器;C2選用獨石電容器或滌綸電容器。
VDl選用1N4148型硅開關(guān)二極管;VD2選用1N4007型硅整流二極管。
V選用3DK4型硅NPN晶體管。
lC選用NE555型時基集成電路。
S選用觸頭電流容量大于2A的小型單極開關(guān)。
GB選用6V的小容量免維護(hù)蓄電池，也可使用小型直流穩(wěn)壓電源。
L使用φO.lmm左右的漆包線在φOmmx3Omm的磁棒上繞4200匝左右后制成。
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