負(fù)氧離子發(fā)生器 六
出處:東方未明 發(fā)布于:2008-09-24 00:00:00 | 7186 次閱讀
該負(fù)氧離子發(fā)生器電路由電源電路、多諧振蕩器和高壓電路組成,如圖9-118所示。

電源電路由電容器Cl、C2、電阻器Rl、穩(wěn)壓二極管VS和整流二極管VDl組成。
多諧振蕩器由晶體管Vl、V2、電阻器R2-R5和電容器C3、C4組成。
高壓電路由電容器C5、電阻器R6、電位器RP、晶體管V3、V4、高壓變壓器T、高壓整流二極管VD2和高壓放電電極a、b組成。
交流二極管經(jīng)Cl降壓、VS穩(wěn)壓、VDl整流及C2濾波后,為多諧振蕩器和高壓電路提供l2V直流電壓。
多諧振蕩器通電后振蕩工作,產(chǎn)生高頻振蕩信號(hào),通過R6和RP加至高壓變壓器T上,使V3和V4交替導(dǎo)通,在T的W5繞組上產(chǎn)生數(shù)千伏的脈沖高壓,此脈沖高壓經(jīng)VD2整流后產(chǎn)生直流高壓加至放電電極上,使空氣電離而產(chǎn)生負(fù)氧離子。
元器件選擇
Rl-R6選用1/4W的金屬膜電阻器或碳膜電阻器。
RP選用小型合成碳膜電位器或可變電阻器。
Cl選用耐壓值為450V的CBB電容器;C2-C4均選用耐壓值為25V的鋁電解電容器;C5選用滌綸電容器或CBB電容器。
VDl選用1N4007型硅整流二極管;VD2選用2DGLl4kV的高壓硅整流二極管。
Vl和V2均選用S9013型硅NPN晶體管;V3和V4均選用DDO3型高反壓硅NPN晶體管。
VS選用lW、l1-l2V的硅穩(wěn)壓二極管。
T可使用黑白電視機(jī)的分立式行輸出變壓器改制:Wl和W2繞組用φ0.35mm的漆包線雙線并繞5匝,線圈的頭尾相接作為中心抽頭;W3和W4繞組用φ0.35mm的漆包線雙線并繞25-30匝,線圈的頭尾相接作為中心抽頭;WS繞組使用原行輸出變壓器的高壓包。
放電電極a和b使用一塊敷銅板和數(shù)根大頭針制作。
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