基本原理

　　理想的基準電壓源應不受電源和溫度的影響，在電路中能提供穩(wěn)定的電壓，“基準”這一術語正說明基準電壓源的數(shù)值應比一般電源具有更高的和穩(wěn)定性。

　　一般情況下，可用電阻分壓作為基準電壓，但它只能作為放大器的偏置電壓或提供放大器的工作電流。這主要是由于其自身沒有穩(wěn)壓作用，故輸出電壓的穩(wěn)定性完全依賴于電源電壓的穩(wěn)定性。另外，也可用二極管的正向壓降作為基準電壓，它可克服上述電路的缺點，得到不依賴于電源電壓的恒定基準電壓，但其電壓的穩(wěn)定性并不高，且溫度系數(shù)是負的，約為-2mV/℃。

　　還可用硅穩(wěn)壓二極管(簡稱穩(wěn)壓管或齊納管)的擊穿電壓作為基準電壓，它可克服正向二極管作為基準電壓的一些缺點，但其溫度系數(shù)是正的，約為+2mV/℃ 。因此，以上幾種均不適用于對基準電壓要求高的場合。于是，在這種迫切的市場需求和設計者的不斷努力下，高的基準電壓源應運而生，并且種類繁多。

　　現(xiàn)狀和發(fā)展

　　隨著集成電路尤其是系統(tǒng)集成技術的發(fā)展，基準電壓源的應用更為廣泛。而復雜多變的工作環(huán)境、日益廣闊的應用空間，都為基準電壓源的發(fā)展提供了機遇和挑戰(zhàn)。尤其是如何進一步降低基準電壓源的溫度系數(shù)和噪聲，提高它的電壓穩(wěn)定度和長期穩(wěn)定性，將成為人們長期關注和努力的課題。目前，己經(jīng)出現(xiàn)利用MOS管中載流子的遷移率和閱值電壓的溫度效應進行互補償?shù)脑O計技術等等。這預示著隨著VLSI和SOC技術的迅猛發(fā)展，及各種新技術、新工藝的不斷應用，高基準電壓源的設計技術還將不斷進步，具有更加廣闊的發(fā)展空間。
　　

采用運放構成的正負基準電壓源電路