應用金屬氧化硅的場效應晶體管電路

出處：aidsheng 發(fā)布于：2011-07-20 13:57:40 | 1826 次閱讀

　　常常需要上升率很小的鋸齒電壓發(fā)生器，為了降低上升率，普通晶體管鋸齒電壓發(fā)生器需要一個很大的積分電容器。因為要減少負載和輸出晶體管漏電流的影響，所以電容器充電電流必須很大。
　　當其用作拾取器件時，MOSFET有效地消除了負載和漏電流對積分電容器的影響。這就使電容器充電電流大為減小，因而也就減小了積分電容器的值。
　　MOSFET可以設計成源極跟蹤器。其源極電壓，通常比柵極電壓高5~6伏。

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