雙極結型三極管相當於兩個背靠背的二極體 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區(qū)，形成集電極電流 IC .在共發(fā)射極電晶體電路中 , 發(fā)射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由於 VBE 很小，所以基極電流約爲 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA .
　　如果電晶體的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA.在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V,而電晶體集電極和發(fā)射極之間的壓降爲VCE=5V,如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib,在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應的交變電流ic,有c/ib=β，實現(xiàn)了雙極電晶體的電流放大作用。
　　金屬氧化物半導體場效應三極管（場效應三極管依靠一種極性的載流子（多數(shù)載流子）參與導電，所以又稱單極型三極管。又因為這種管子是利用電場效應來控制電流的，所以也稱為場效應管。場效應管分為兩大類：一類稱為結型場效應管，另一類有稱為絕緣柵場效應管）的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間形成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱爲閾值電壓 VT .當 VGS>VT 并取不同數(shù)值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 VDS 下也將産生不同的 IDS , 實現(xiàn)柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。
　　二、電晶體的命名方法
　　電晶體：最常用的有三極管和二極體兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極體以D表示。按制作材料分，電晶體可分爲鍺管和矽管兩種。