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邏輯電平位移基礎知識 -- 在通信和 GPIO 中混合高、低邏輯電平電壓

出處:Digi-Key 發(fā)布于:2022-05-05 16:29:53 | 1862 次閱讀

    最新的數(shù)字設備設計得越來越小、越來越快,效率也更高。主流 5V 邏輯電平被越來越低的 3.3V、2.5V、1.8V 甚至更低的電壓標準所取代,因此需要一種方法讓不匹配的系統(tǒng)能夠可靠、有效地進行通信。設計者需要確保邏輯 1 或邏輯 0 可以在這些平臺上以一種可預測的方式實現(xiàn)。




    二進制或兩級邏輯電壓之間的轉換/隔離促進了可預測的電路行為。設計者可能會認為 3.3 V 的信號在 5 V 引腳上“應該有效”,但并不是在所有條件下總是如此。相反,在大多數(shù)情況下,在一個接受 3.3V、5 V 電壓的引腳上使用 5V 信號肯定是有效的,但這種方法由于需要額外的元件且在某些情況下要“燒掉”多余的電壓,所以成本更高。
    有替代方案嗎?
    有源轉換器/電平位移器件解決了常見的轉換問題,甚至可能提供額外的有用功能,如反相、推挽輸出、三態(tài)或差分功能。但是,如果有不太復雜的東西允許實現(xiàn)更寬的邏輯電壓水平和雙向通信那怎么樣?一個分立、緊湊的 MOSFET 可以以高頻率和高效率完成轉換。使用這些廉價的半導體和一些額外的無源器件,可以對像 I2C 和直接 GPIO 引腳到引腳連接這樣的通信方式實現(xiàn)電平位移。適當?shù)剡x擇 MOSFET 就可以實現(xiàn)更高的邏輯電壓,例如 12 V 或 18 V 也可用于監(jiān)測汽車電路就是一例。
    注意:采用 Hs 模式(高速模式)的 I2C 可能需要更精細的元件,如 NXP 的 PCA9306 雙向轉換器。
    實例: BS170 (N 溝道增強模式場效應晶體管
    BS170 旨在最大限度地減少導通電阻,同時提供可靠和快速的開關性能,適合低電壓、低電流開關應用。圖 1 顯示了進行基本通信或 GPIO 邏輯電平位移所需的連接。


    圖 1:基本、單總線、電平轉換 MOSFET 電路。
  

  MOSFET 兩側的邏輯高電平是通過上拉電阻實現(xiàn)的,其各自的電源提供快速模式 (400 kHz) I2C 信號或其他類似的快速數(shù)字接口的轉換。MOSFET 的柵極被保持在低壓供電水平。當沒有器件拉低總線線路電壓時,MOSFET 的源極的總線線路就會被低壓上拉電阻拉高。MOSFET 的柵/源電壓 (VGS) 低于閾值,MOSFET 不導通。這使得 MOSFET 漏極的總線電壓被高壓上拉電阻拉起。MOSFET 兩側的總線保持為高電平,但處于不同的電壓水平。見圖 2。


    圖 2:邏輯高電壓轉換。
    如果低壓器件拉低 MOSFET 源極的總線電壓,而柵極保持在低壓供電水平,則 VGS 會上升到閾值以上,然后 MOSFET 開始導通。此時 MOSFET 漏極的總線電壓也會被拉低。參見圖 3。
    圖3:由低壓器件啟動的邏輯低電壓轉換。
    如果高壓器件拉低了 MOSFET 漏極的總線電壓,MOSFET 的基底二極管允許源極也被部分拉低,這是因為二極管上有少量的電壓下降。見圖 4。


    圖 4:由高電壓器件啟動的近邏輯低電壓轉換。
    當 MOSFET 的源極被部分拉低時,VGS 上升到閾值以上,MOSFET 開始有效地繞過基底二極管進行導通。見圖 5。

    圖 5:由高電壓器件啟動的全邏輯 LOW 電壓轉換。
    這三種狀態(tài)顯示了在總線系統(tǒng)的兩個方向上轉換的邏輯電平,與驅動部分無關。根據(jù) MOSFET 的能力,實現(xiàn)多組合高電壓和低電壓供電是可能的。無論邏輯電平?jīng)_突是涉及點對點 GPIO、傳感器輸出還是雙向多線路通信,MOSFET 電平移位器都是有用的工具。圖 5 展示了一個使用兩個 MOSFET 實現(xiàn)的轉換后、雙線、雙向通信電路。



    圖 6:雙線雙向轉換數(shù)據(jù)通信電路。
    隔離
    為了防止在高壓設備斷電或高壓電源斷電的情況下出現(xiàn)隨機的邏輯電平,可以采用額外的 MOSFET“漏極到漏極”來隔離高壓邏輯總線線路。



    圖 7:轉換后的數(shù)據(jù)通信電路中的隔離總線線路。
    開發(fā)板
    為了詳細了解邏輯電平轉換,一些制造商生產(chǎn)了開發(fā)板,裝有 MOSFET 或邏輯轉換器件以及所需的外圍無源器件,以便進行快速連接和實驗。
    結語
    選擇合適的 MOSFET 和上拉電阻是這種簡單而有效的邏輯轉換方法的成功關鍵。典型器件數(shù)據(jù)手冊中包含了實驗所需的信息。在大多數(shù)情況下,BS170 的上拉電阻在 4.7 Khm 到 10 Khm 范圍內可能效果很好。專用邏輯電平轉換器 IC 也可以提供額外的功能,如 I/O 和供電電壓輸入的 15kV ESD 保護。

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