我想每個設計師都有真正靈感閃現(xiàn)的電路。這就是其中之一，如果有我覺得我應該申請專利的電路，這肯定是其中之一！它比其 14 個組件所暗示的更復雜。
    在焊接行業(yè)中，一種常見的焊接電源是“滴管”。它們以高開路電壓開始，可能高達 125 伏，負載時電壓急劇下降，可能降至 20 或 24 伏。要求是從這樣的下降器操作 12v 繼電器。這是結果電路。
    用作電流源
    這個相同的電路也非常成功地用作電流源，以從同一下降器提供低壓控制電路。使用環(huán)形電感器，負載與 ot 串聯(lián)，連接續(xù)流二極管，以便驅動電流和續(xù)流電流都流過負載。負載電壓由齊納二極管調節(jié)。
   

         它通過 PWM（脈沖寬度調制）運行 - 好吧，實際上是通過 PFM - 脈沖頻率調制。
    上電時，C1 通過 D1 和 R1 充電。R2 將導通，將射極跟隨器 Tr2 的基極拉高，并將柵極電壓饋送到 MOSFET。Tr4。顯然，上電期間模擬區(qū)域中的電路，但由于這是用于高壓電源，因此上電非常快。
    當 Tr4 導通時，電流通過 R5 和螺線管線圈。電流逐漸增加，直到 R5 兩端的電壓高到足以導通 Tr1。
    Tr1 和 Tr3 是互補反饋對，因此當 Tr1 導通時，它們在速動開關中相互導通，MOSFET 柵極被硬關斷。
    螺線管線圈中的電流（通過電感）被迫保持流動。它通過 D3 和 R4 實現(xiàn)。
    但是流入 Tr1 基極的電流是通過 R4 和 Tr3 的電流之和。R2 的電流流過 Tr1，因此沒有電流流過 Tr2，因此 Tr3 電流（在電池放電后）僅是流過 R3 的電流。因此，通過 R5 的電流必須下降這個量，然后才不足以保持 Tr1 導通。該電流是由流過 R5 的感測繼電器電流引起的，因此 R3 與 R4 的比率設置了遲滯。
    當沒有足夠的電流來保持 Tr1 導通時，它會關閉，柵極會再次被 R5 和 Tr2 拉高，從而導通 MOSFET。它猛擊繼電器線圈上的電源電壓，建立電流。顯然，電流建立的速率將取決于電源電壓，因此在低壓下，MOSFET 導通時間較長，在高壓下導通時間較短。
    MOSFET 關閉的時間取決于繼電器線圈并且是恒定的，而開啟時間會變化，從而改變頻率。
    組件
    需要選擇 R5，以便檢測所需的電流。它應該在所需電流下降低一個 Vbe（約 0.6v）。
    需要選擇具有足夠電壓和電流處理能力的 MOSFET，當然您可能需要對 MOSFET 進行散熱。
    D3 應該是一個高速二極管，其額定電壓至少等于電路將遇到的最高工作電壓。
    這些東西都是操作條件相關的，所以我只好交給你了！
    該電路在生產中被證明是非?？煽康摹ｏ@然，您需要觀察電壓尖峰和電流額定值。當 MOSFET 進入線性模式時，您也不應該嘗試在低電壓下操作它，更不用說螺線管電壓加 15v。這不會立即損壞 MOSFET，但它會變熱。因此，最好不要通過連接和斷開電源來切換繼電器，而是通過激活和停用控制器來切換繼電器。稍后可以添加執(zhí)行此操作的方法。
    我對這個電路有幾個變化和補充。例如，如果您想要低側開關，可以通過光耦合器打開/關閉它。也可以有兩個電流級別的版本，其中螺線管電流以高值開始用于吸合，并在一段時間后下降到較低的保持電流。