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ISL71091SEHxx 電壓基準(zhǔn)的總劑量測(cè)試

出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-08-31 16:57:27 | 409 次閱讀

    ISL71091SEHxx 電壓基準(zhǔn)的四種變體的總劑量測(cè)試結(jié)果。這些測(cè)試的目的是評(píng)估零件的總劑量硬度及其劑量率和偏差敏感性。測(cè)試還增加了偏置高溫退火,以觀(guān)察零件的加速老化響應(yīng)。樣品在偏壓下進(jìn)行輻照,所有引腳均以低劑量率和高劑量率接地。ISL71091SEHxx 變體在逐個(gè)晶圓的基礎(chǔ)上進(jìn)行了驗(yàn)收測(cè)試,在高劑量率(50 至 300 rad(Si)/s)下達(dá)到 100 krad(Si),在低劑量率(0.01 rad(0.01 rad) 下達(dá)到 50 krad(Si))。 Si)/s),確保兩種劑量率的硬度達(dá)到指定水平。
    報(bào)告的 ISL71091SEHxx 型號(hào)包括 ISL71091SEH20(2.048 V 標(biāo)稱(chēng)輸出電壓)、ISL71091SEH33(3.3 V 標(biāo)稱(chēng)輸出電壓)、ISL71091SEH40(4.096 V 標(biāo)稱(chēng)輸出電壓)和 ISL71091SEH10(10.0 V 標(biāo)稱(chēng)輸出電壓)。這些變體使用相同的基礎(chǔ)芯片,輸出電壓在晶圓制造過(guò)程中通過(guò)多個(gè)掩蔽級(jí)別進(jìn)行選擇,然后最終通過(guò)在探針和封裝級(jí)別進(jìn)行微調(diào)(編程熔絲)進(jìn)行調(diào)整,以獲得指定的輸出電壓。該封裝僅包含硅芯片,并且沒(méi)有用于設(shè)置輸出電壓的單獨(dú)的內(nèi)部或外部無(wú)源元件(即電阻器電容器)。
    ISL71091SEHxx 在低劑量率和高劑量率照射下均表現(xiàn)出良好的性能。所有樣品均通過(guò)了 SMD 中規(guī)定的總劑量水平的輻照后規(guī)格。我們?cè)陉P(guān)鍵輸出電壓參數(shù)中觀(guān)察到一些劑量率敏感性和偏置敏感性,并且該部件被認(rèn)為是中低劑量率敏感的。我們還看到了經(jīng)過(guò)該程序的零件中有趣的偏置高溫退火響應(yīng),這些響應(yīng)也將被討論。
    部分說(shuō)明
    ISL71091SEHxx 是一款低噪聲精密電壓基準(zhǔn),具有 4.6V 至 30V 的寬電源電壓范圍(3.3V 型號(hào)),具有通過(guò)不同掩蔽級(jí)別和片上微調(diào)選擇的四種輸出電壓選項(xiàng)。ISL71091SEHxx 基于 Intersil PR40 粘合晶圓工藝構(gòu)建,該工藝使用電介質(zhì)隔離來(lái)實(shí)現(xiàn)重要的電氣和 SEE 性能改進(jìn)。ISL71091SEHxx 提供四種輸出電壓選項(xiàng),包括 2.048V、3.3V、4.096V 和 10.0V,并具有 6 ppm/°C 溫度系數(shù)以及出色的線(xiàn)路和負(fù)載調(diào)節(jié)。該器件可實(shí)現(xiàn)低于 5.2 μV 的峰峰值(0.1 Hz 至 10 Hz,3.3 V 版本)噪聲,+25 °C 時(shí)的初始電壓精度為 ±0.05%,輻射范圍內(nèi)的初始電壓精度為 ±0.25%。該器件采用 8 引線(xiàn)密封扁平封裝和芯片形式。應(yīng)用包括儀器儀表、
    測(cè)試說(shuō)明
    輻照設(shè)施
    使用位于佛羅里達(dá)州棕櫚灣 Intersil 工廠(chǎng)的 Gammacell 220? 60Co 輻照器以 68 rad(Si)/s 的標(biāo)稱(chēng)劑量率進(jìn)行高劑量率測(cè)試。使用 Intersil Palm Bay N40 全景低劑量率 60Co 輻照器以 0.01 rad(Si)/s 進(jìn)行低劑量率測(cè)試。使用設(shè)定為+100°C的小型溫度室進(jìn)行輻照后高溫偏置退火。
    測(cè)試夾具
    圖 1 顯示了用于偏置照射的配置。接地輻射是在相同的夾具類(lèi)型中進(jìn)行的,但所有引腳都硬連線(xiàn)接地。也使用該配置進(jìn)行輻照后高溫偏置退火。
    圖 1 ISL71091SEHxx 的偏置輻射配置
    表征設(shè)備和程序
    所有電氣測(cè)試均在輻照器外部使用生產(chǎn)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備 (ATE) 進(jìn)行,并在每個(gè)停機(jī)點(diǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄。所有下點(diǎn)電氣測(cè)試均在室溫下進(jìn)行。每個(gè)變體使用三個(gè)或四個(gè)控制單元來(lái)驗(yàn)證可重復(fù)性。
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