功率 MOSFET 的新型 PSPICE 子電路
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-09-07 17:18:43 | 465 次閱讀
目標(biāo)
這項工作的目標(biāo)是首次提供一個熱子電路模型,能夠在所有功率 MOSFET 狀態(tài)下提供精確的仿真。此外,子電路應(yīng)該容易被用戶理解和接受,并且應(yīng)該證明參數(shù)提取的容易性。
方法
采用經(jīng)驗性的子電路方法。它的開發(fā)目的是在大多數(shù)電源電路應(yīng)用(包括結(jié)溫)通常規(guī)定的整個工作范圍內(nèi)提供與功率 MOSFET 的黑盒一致性。盡管器件熱行為是驅(qū)動力,但仍保持對物理和 SPICE 算法的尊重。
PSPICE 模型子電路
PSPICE 模型子電路SPICE 有多種形式,每種形式都有自己的優(yōu)點和缺點。選擇 PSPICE 的原因如下。
1. 提供了能夠?qū)﹄娫措娐愤M(jìn)行大量電路分析的評估副本。
2. PROBE 功能提供出色的顯示效果。
3. 編程的時間片默認(rèn)值和DC收斂例程使其非常友好。
4. PSPICE 的開關(guān)算法提供了從關(guān)閉到打開的非常平滑的過渡。
沒有研究其他形式的 SPICE,但它們應(yīng)該適合通過并行這項工作的教導(dǎo)來開發(fā)類似的子電路。
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