具有低開(kāi)關(guān)功率損耗的關(guān)斷功率半導(dǎo)體（功率MOSFET、IGBT和GTO）和數(shù)字控制系統(tǒng)（現(xiàn)代微控制器）的出現(xiàn)，已經(jīng)建立了開(kāi)發(fā)對(duì)市電影響較小的自換相PWM整流器的技術(shù)條件。 -控制器或數(shù)字信號(hào)處理器）具有低循環(huán)時(shí)間和/或高動(dòng)態(tài)質(zhì)量。
　　對(duì)電源影響較小的三相整流器系統(tǒng)的分類
　　根據(jù)具體應(yīng)用，整流電路可設(shè)計(jì)為單向版本；不需要從直流側(cè)向市電反饋能量。例如，低動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)器、空調(diào)等）、UPS（不間斷電源，例如用于電信和醫(yī)療電子設(shè)備）、電池充電器（電動(dòng)汽車）、過(guò)程電源就是這種情況技術(shù)（焊接裝置、激光和等離子電源）以及更高功率開(kāi)關(guān)模式放大器（測(cè)量和測(cè)試設(shè)備）的電源。與雙向系統(tǒng)相比，這使得電路復(fù)雜性顯著降低成為可能，并導(dǎo)致了多種不同電路概念的衍生。
　　電路概念、操作和電源行為
　　對(duì)于具有連續(xù)輸入電流形狀的系統(tǒng)，可以通過(guò)圖 2 (a) 中所示的等效電路來(lái)描述交流側(cè)的電流生成。其中，相位量由空間向量 u_N（電源電壓空間向量）和 u_V（整流器輸入電壓的空間向量）概括。整流器系統(tǒng)輸入端在脈沖周期內(nèi)形成的空間矢量 u_V 的平均值由矢量控制量“s”設(shè)置，該矢量控制量涉及相位和值降 u_N – u_V 穿過(guò)電源側(cè)串聯(lián)電感器 L 施加電流i_N 是輸出電壓控制環(huán)路所需的。實(shí)際整流器輸入電壓 u_N 包含（除了其基波 U_U 之外）具有開(kāi)關(guān)頻率的諧波，這會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)的電源電流諧波（傳統(tǒng)線換向整流器電路的特性）轉(zhuǎn)換為更高頻率的電流諧波（傳統(tǒng)線換向整流器電路的特性）通過(guò)脈寬調(diào)制轉(zhuǎn)移到更高的頻率區(qū)域。這樣，減少對(duì)電源影響的優(yōu)點(diǎn)與出現(xiàn) EMI 的危險(xiǎn)相悖。圖 2 所示的等效電路對(duì)于這些電路來(lái)說(shuō)基本上仍然有效。然而，如果在沒(méi)有可關(guān)斷功率半導(dǎo)體的情況下實(shí)現(xiàn)電路，則缺乏通過(guò)控制輸入影響電壓生成的可能性。

　　

　　圖1 輸入電流連續(xù)(a)和不連續(xù)(b)形狀的三相整流系統(tǒng)交流側(cè)系統(tǒng)部分的空間矢量等效