教程總結(jié)
　　在本教程中，我們了解了如何使用雙極結(jié)型晶體管（NPN 或 PNP）和增強(qiáng)型 MOSFET（N 溝道或 P 溝道）作為晶體管開關(guān)電路。
　　有時(shí)，在構(gòu)建電子或微控制器電路時(shí)，我們希望使用晶體管開關(guān)來控制大功率設(shè)備，例如電機(jī)、燈、加熱元件或交流電路。通常，這些設(shè)備需要比單個(gè)功率晶體管能夠處理的更大的電流或更高的電壓，那么我們可以使用繼電器開關(guān)電路來做到這一點(diǎn)。
　　雙極晶體管 (BJT) 構(gòu)成非常好的且廉價(jià)的繼電器開關(guān)電路，但 BJT 是電流操作器件，因?yàn)樗鼈儗⑿』鶚O電流轉(zhuǎn)換為較大的負(fù)載電流，為繼電器線圈供電。
　　然而，MOSFET 開關(guān)是理想的電氣開關(guān)，因?yàn)樗鼛缀醪恍枰獤艠O電流即可“導(dǎo)通”，將柵極電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載電流。因此，MOSFET可以作為壓控開關(guān)來操作。
　　在許多應(yīng)用中，雙極晶體管可以用增強(qiáng)型 MOSFET 替代，從而提供更快的開關(guān)動(dòng)作、更高的輸入阻抗以及可能更低的功耗。極高的柵極阻抗、“關(guān)閉”狀態(tài)下的極低功耗以及極快的開關(guān)能力相結(jié)合，使得 MOSFET 適合許多數(shù)字開關(guān)應(yīng)用。此外，在柵極電流為零的情況下，其開關(guān)動(dòng)作不會(huì)使數(shù)字門或微控制器的輸出電路過載。
　　然而，由于 E-MOSFET 的柵極與組件的其余部分絕緣，因此它對(duì)靜電特別敏感，靜電可能會(huì)破壞柵極上的薄氧化層。然后，在處理該組件或使用該組件時(shí)應(yīng)特別小心，并且任何使用 e-MOSFET 的電路都應(yīng)包括適當(dāng)?shù)撵o電和電壓尖峰保護(hù)。
　　此外，為了對(duì) BJT 或 MOSFET 提供額外保護(hù)，請(qǐng)始終在繼電器線圈上使用續(xù)流二極管，以安全地耗散晶體管開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)。