簡稱單次晶體管或UJT ，是另一個固態(tài)三個終端設(shè)備，可以在門脈沖，正時電路和觸發(fā)發(fā)電機應(yīng)用程序中使用，以切換和控制跨晶管器和TRIAC用于交流電源控制類型的應(yīng)用。
　　像二極管一樣，單次晶體管是由單獨的P型和N型半導(dǎo)體材料構(gòu)建的，該材料在該設(shè)備的主導(dǎo)電N型通道內(nèi)形成單個（因此其名稱Uni-gunction）PN連接。
　　盡管單次晶體管具有晶體管的名稱，但其開關(guān)特性與傳統(tǒng)的雙極或場效應(yīng)晶體管的開關(guān)特性截然不同，因為它不能用于放大信號，而是用作開關(guān)的開關(guān)晶體管。 UJT的單向電導(dǎo)率和負阻抗特性在故障過程中更像是可變的電壓分離器。
　　與N通道FET一樣，UJT由單個實心N型半導(dǎo)體材料組成，形成主要電流攜帶通道，其兩個外部連接標記為堿基2（  B 2  ）和堿基1（  B 1  ）。第三個連接令人困惑地標記為發(fā)射極（  E  ）沿通道。發(fā)射極端子由指向從p型發(fā)射極到N型基底的箭頭表示。
　　通過將P型材料融合到N型硅通道中，形成了晶體管的發(fā)射器校正PN連接。但是，還可以使用帶有N型發(fā)射極終端的P通道UJT，但很少使用。
　　發(fā)射器連接位于通道沿著頻道的位置，因此比B 1更接近端子B 2。在UJT符號中使用箭頭，該符號指向底座，表明發(fā)射極端子為正，而硅條為負材料。下面顯示了UJT的符號，結(jié)構(gòu)和等效電路。　　晶體管符號和構(gòu)造

　　請注意，直晶晶體管的符號看起來與結(jié)場效果晶體管或JFET的符號非常相似，只是它具有代表發(fā)射極（  E  ）輸入的彎曲箭頭。盡管在其歐姆頻道方面相似，但JFET和UJT的運作方式卻大不相同，不應(yīng)感到困惑。
　　那么它如何工作？從上面的等效電路中可以看出，N型通道基本上由兩個電阻R B2和R B1組成，串聯(lián)具有等效（理想）二極管，D代表連接到其中心點的PN連接。在制造過程中，此發(fā)射極PN連接處沿歐姆通道固定在適當(dāng)?shù)奈恢?，因此無法更改。
　　電阻R B1在發(fā)射極， E和末端B 1之間給出，而在發(fā)射極，E和末端B 2之間給出了電阻R B2。由于PN連接的物理位置比B 1更接近端子B 2 ，因此R B2的電阻值小于R B1。
　　硅條的總電阻（其歐姆電阻）將取決于半導(dǎo)體的實際摻雜水平以及N型硅通道的物理尺寸，但可以用R BB表示。如果用歐姆表測量，對于最常見的UJT（例如2N1671、2N2646或2N2647），這種靜態(tài)電阻通常會在大約4kΩ和10kΩ之間進行測量。
　　這兩個系列電阻在單式晶體管的兩個基本端子之間產(chǎn)生電壓分離器網(wǎng)絡(luò)，并且由于該通道從B 2延伸到B 1，當(dāng)整個設(shè)備上施加電壓時，沿通道的任何點的電勢將在與終端B 2和B 1之間的位置比例。因此，電壓梯度的水平取決于電源電壓的量。
　　當(dāng)在電路中使用時，端子B 1連接到地面，并用作設(shè)備的輸入。假設(shè)在B 2和B 1之間的UJT上施加了電壓V BB，以使B 2相對于B 1偏置陽性。使用零發(fā)射器輸入后，電阻電壓分隔器的R B1 （較低電阻）開發(fā)的電壓可以計算為：
　　　單臨界晶體管RB1電壓
　　對于單次晶體管，上面顯示的R B1與R BB的電阻比稱為固有的對峙比率，并給出了希臘符號：η（ETA）。最常見的UJT的典型標準值范圍為0.5至0.8。
　　如果小于電阻跨電壓發(fā)育的電壓小的小正輸入電壓現(xiàn)在將R B1（  ηVBB  ）應(yīng)用于發(fā)射極輸入端子，則二極管PN連接處是反向偏置的，因此提供了很高的阻抗，并且設(shè)備不具有執(zhí)行。 UJT切換為“關(guān)閉”，電流流量為零。
　　但是，當(dāng)發(fā)射極輸入電壓增加并變得大于V RB1（或ηvbb  + 0.7V，其中0.7V等于pn連接二極管伏特降低）pn連接變?yōu)檎蚱?，單次晶體管開始進行。結(jié)果是發(fā)射極電流現(xiàn)在從發(fā)射極端流到基本區(qū)域。
　　流入堿基的附加發(fā)射極電流的影響減少了發(fā)射極連接和B 1端子之間通道的電阻部分。R B1電阻對非常低的值的值的降低意味著發(fā)射極連接變得更加向前偏置，從而導(dǎo)致較大的電流流量。這種影響導(dǎo)致發(fā)射極終端的負電阻。
　　同樣，如果在發(fā)射極和B 1端子之間應(yīng)用的輸入電壓降低至低于分解的值，則R B1的電阻值將增加到高值。然后，可以將單次晶體管視為電壓故障設(shè)備。
　　因此，我們可以看到R B1提出的電阻是可變的，并且取決于發(fā)射極電流的值，即。然后，將發(fā)射器與B 1相關(guān)的向前偏置會導(dǎo)致更多的電流流動，從而降低了發(fā)射極， E和B 1之間的電阻。
　　換句話說，流入UJT發(fā)射極的流動會導(dǎo)致R B1的電阻值降低，并且橫跨其電壓下降，V RB1也必須減小，從而使更多的電流產(chǎn)生負電阻條件。
　　晶體管晶體管應(yīng)用程序
　　現(xiàn)在我們知道了一個直流晶體管的工作原理，它們可以使用什么。直晶晶體管的最常見應(yīng)用是作為SCR和TRIACS的觸發(fā)設(shè)備，但其他UJT應(yīng)用程序包括鋸齒發(fā)電機，簡單振蕩器，相位控制和正時電路。所有UJT電路中最簡單的是產(chǎn)生非鼻腔波形的松弛振蕩器。
　　在基本且典型的UJT松弛振蕩器電路中，直流晶體管的發(fā)射極端子連接到連接電阻器和電容器的連接連接，RC電路如下所示。　　晶體管松弛振蕩器

　　UJT松弛振蕩器
　　當(dāng)首先應(yīng)用電壓（VS）時，單次晶體管是“關(guān)閉”，電容器C1已完全放電，但開始通過電阻R3呈指數(shù)式充電。當(dāng)UJT的發(fā)射極連接到電容器時，當(dāng)電容器跨電容器的電壓VC變得大于二極管伏特滴值時，PN連接的行為作為正常二極管并變得向前偏置，從而使UJT觸發(fā)UJT進入傳導(dǎo)。單式晶體管是“ ON”。在這一點上，隨著發(fā)射極進入較低的阻抗狀態(tài)，發(fā)射器到B1阻抗會崩潰，而發(fā)射極流經(jīng)R1的流動流動。
　　由于電阻R1的歐姆值非常低，因此電容器通過UJT迅速排出，并且在R1上出現(xiàn)了快速上升的電壓脈沖。同樣，由于電容器通過UJT的放電比通過電阻R3充電更快，因此由于電容器通過低電阻UJT排放的電容時間，放電時間比充電時間少得多。
　　當(dāng)電容器的電壓降低到PN連接點（  V OFF ）的固定點以下時，UJT關(guān)閉了“關(guān)閉”，并且電流沒有流入發(fā)射器連接處，因此電容器再次通過電阻R3 充電，并且此充電和放電過程在有電源電壓的情況下，V ON和V OFF之間會不斷重復(fù)進行?！　JT振蕩器波形

　　UJT振蕩器波形
　　然后，我們可以看到，單式振蕩器不斷切換“ ON”和“ OFF”，而無需任何反饋。振蕩器的操作頻率與電容性R3的值直接影響與電容器C1和η值串聯(lián)。從base1（ b1 ）端子產(chǎn)生的輸出脈沖形狀是鋸齒波形的端子，并且為了調(diào)節(jié)時間段，您只需更改電阻的歐姆值，R3，因為它設(shè)置了為電容器充電的RC時間常數(shù)。
　　鋸齒波形的時間段將作為充電時間加上電容器的放電時間。與較大的RC充電時間相比，由于放電時間， τ1通常非常短， τ2振蕩時間或多或少等同于T?τ2 。因此，振蕩的頻率由?= 1/t給出。
　　UJT振蕩器示例NO1
　　2N2646單式晶體管的數(shù)據(jù)表使內(nèi)在的對峙比率為0.65。如果使用100NF電容器來生成正時脈沖，請計算產(chǎn)生100Hz的振蕩頻率所需的時序電阻器?！　?。定時期為：

　　UJT振蕩器期　　2。定時電阻的值，r 3計算為：

　　UJT定時電阻
　　然后，在此簡單示例中所需的充電電阻值的值計算為95.3kΩ至最近的優(yōu)選值。但是，UJT松弛振蕩器需要某些條件才能正確操作，因為R3的電阻值太大或太小。
　　例如，如果R3的值太大，則（Megohms）電容器可能無法充分充電以觸發(fā)單艙??發(fā)射器進行傳導(dǎo)，但也必須足夠大，以確保一旦電容器排放到電容器，UJT切換為“ OFF”在下部扳機電壓下方。
　　同樣，如果R3的值太小（幾百個歐姆），一旦觸發(fā)流入發(fā)射極端端子的電流可能足夠大，可以將設(shè)備驅(qū)動到其飽和區(qū)域，從而完全阻止其完全“關(guān)閉”。無論哪種方式，直振蕩器電路都無法振蕩。
　　UJT速度控制電路
　　上面的單次晶體管電路的一種典型應(yīng)用是生成一系列脈沖來發(fā)射和控制晶閘管。通過將UJT作為相控制觸發(fā)電路與SCR或TRIAC結(jié)合使用，如圖所示，我們可以調(diào)整通用AC或DC電機的速度?！　【w管速度速度控制

　　晶體管速度速度控制
　　使用上面的電路，我們可以通過調(diào)節(jié)流經(jīng)SCR的電流來控制通用串聯(lián)電動機（或我們想要的負載，加熱器，燈等）的速度。為了控制電動機速度，只需更改鋸齒脈沖的頻率，這是通過改變電位計的值來實現(xiàn)的。
　　直晶晶體管摘要
　　我們已經(jīng)看到，短晶體管或UJT的簡稱是一種電子半導(dǎo)體設(shè)備，它在N型（或P型）內(nèi)僅具有一個PN連接，輕度摻雜的歐姆通道。 UJT有三個終端一個標記的發(fā)射極（E）和兩個底座（B1和B2）。
　　在半導(dǎo)體通道的每一端附著兩個歐姆觸點B1和B2，當(dāng)發(fā)射器被稱為Interbase電阻R BB時，B1和B2之間的電阻為B1和B2之間的電阻。如果用歐姆表測量，對于最常見的UJT，這種靜態(tài)電阻通常會在約4kΩ和10kΩ之間進行測量。
　　R B1與R BB的比率稱為固有的對峙比率，并給出了希臘符號：η（ETA）。最常見的UJT的典型標準值范圍為0.5至0.8。
　　直晶晶體管是一種固態(tài)觸發(fā)裝置，可用于各種電路和應(yīng)用中，從跨跨晶體管和TRIACS的射擊到鋸齒發(fā)電機的使用中，用于相控制電路。作為簡單的放松振蕩器，它非常有用。
　　當(dāng)作為放松振蕩器連接時，它可以在沒有儲罐電路或復(fù)雜的RC反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下獨立振蕩。當(dāng)以這種方式連接時，單式晶體管能夠僅通過改變單個電容器（c）或電阻器（R）的值來生成一系列變化持續(xù)時間的脈沖。
　　通常可用的單式晶體管包括2N1671、2N2646、2N2647等，其中2N2646是最受歡迎的UJT，用于脈沖和鋸齒生成器以及時間延遲電路?？捎玫钠渌愋偷闹本Ьw管設(shè)備稱為可編程UJT，可以通過外部電阻設(shè)置其開關(guān)參數(shù)。最常見的可編程單晶體管是2N6027和2N6028。