144到2304 MHz的超高頻寬帶放大器

基于一個(gè)MAR6前置放大器，這個(gè)電路產(chǎn)生低噪聲的圖像，用于144MHz到2304MHz的業(yè)余波段。 來(lái)源:zhenglili

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2011-06-21 閱讀：2492

56～512kHz高頻振蕩器電路圖

如圖所示為56～512kHz高頻振蕩器電路。它由高頻振蕩器、告警電路所組成。 1．技術(shù)指標(biāo)： (1)頻率范圍：56～512kHz； (2)輸出電平：+5．5±ldB； (3)頻率準(zhǔn)確度：不超...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：4211

300kHz信號(hào)發(fā)生器電路圖

如圖所示為300kHz信號(hào)發(fā)生器。它由VT1、T1、VD4及相關(guān)元件組成壓控振蕩器。壓控振蕩器采用LC集電極調(diào)諧式，VTl為振蕩管，由變?nèi)荻O管VD4、電容C3～C6和變量器T1的1～3繞組...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：2093

48MHz的HCMOS振蕩器電路圖

如圖所示為HCMOS集成電路組成的48MHz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6MHz，但振蕩器強(qiáng)制工作于三次諧波。諧波振蕩器的關(guān)鍵是抑制晶體的基頻，圖中的并聯(lián)諧振電路在晶體的基...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：5764

70MHz并聯(lián)晶體振蕩器電路圖

如圖為70MHz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管VTl、晶體SJT及電容Cl、C5等元件組成。 元器件選擇： 電容Cl為20p，C2為100p，C3、C7為820p，C4為56p，C5、C8為47...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：2516

56～484高頻振蕩器電路圖

如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專(zhuān)發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～484kHz范圍內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高，輸出阻抗低等特點(diǎn)。 ...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：2786

穩(wěn)壓管高頻信號(hào)發(fā)生器電路圖

利用穩(wěn)壓管的齊納擊穿特性，可以得到頻率達(dá)數(shù)百兆赫的高頻信號(hào)，其電路如圖所示。從輸出端V01取出的信號(hào)是單一頻率信號(hào)，可以用來(lái)調(diào)準(zhǔn)調(diào)諧回路中的諧振頻率。從輸出V02取出...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：2975

高頻產(chǎn)生點(diǎn)燈器電路圖

如圖所示為高頻產(chǎn)生點(diǎn)燈器電路。它是以8V～14V的蓄電池作為能源，經(jīng)振蕩升壓后再點(diǎn)亮6W～12W的熒光燈。晶體三極管VT可采用3DD12A、D3D4D、3DD5C、3DDl5A等低頻大功率三極管...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：2930

考畢茲振蕩器電路圖

如圖所示為考畢茲振蕩器電路。它帶一個(gè)基頻率晶體，其頻率為1499kHz，晶體SJT并接在電容C2、C3兩端。射極分壓電阻R2、R3提供基本的反饋信號(hào)，反饋受電容分壓器C2、C3的控制...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-04-15 閱讀：4447

高頻電路的地線(xiàn)電路圖

在高頻電路中，引線(xiàn)電感與電容對(duì)電路的性能影響很大，電源引線(xiàn)尤其重要，在高頻范圍要盡可能地降低地線(xiàn)阻抗。對(duì)于高頻電路，除安裝元件弓線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)以外，基本上全部為地線(xiàn)...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-03-28 閱讀：3935

高頻電路測(cè)試時(shí)阻抗匹配問(wèn)題電路圖

高頻電路測(cè)試時(shí)，電纜、測(cè)試儀器等的阻抗匹配非常重要，阻抗一般為5OΩ或75Ω。如圖是測(cè)量接收機(jī)靈敏度的基本連接方式。接收機(jī)的阻抗一般為50Ω，因此，標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器(SSG...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-03-23 閱讀：4258

旁路電容的頻率特性電路圖

電源去耦電路一般采用旁路電容，要根據(jù)電路的頻帶選用容量與品種。特別是在高頻電路中，旁路電容可降低電源阻抗，因此必須注意電容的選用。如圖a、b是陶瓷電容的阻抗與頻率...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-03-23 閱讀：8084

帶頻率調(diào)制的300MHZ松蕩器電路

該振蕩電路信號(hào)由ＵA2或ＵA1上取出。在約300ＭＨZ以?xún)?nèi)時(shí)ＬK為1匝，Ｌ＇約為Ｌ匝數(shù)的10%。利用變?nèi)荻O管ＣD可以對(duì)ＵD進(jìn)行頻率微調(diào)，對(duì)ＵNF進(jìn)行頻率調(diào)制。電容ＣS的大小視所...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2009-01-17 閱讀：1811

56～512kHz高頻振蕩器

如圖所示為56～512kHz高頻振蕩器電路。它由高頻振蕩器、告警電路所組成。1．技術(shù)指標(biāo)：(1)頻率范圍：56～512kHz；(2)輸出電平：+5．5±ldB；(3)頻率準(zhǔn)確度：不超過(guò)±20Hz；...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：1781

300kHz信號(hào)發(fā)生器

如圖所示為300kHz信號(hào)發(fā)生器。它由VT1、T1、VD4及相關(guān)元件組成壓控振蕩器。壓控振蕩器采用LC集電極調(diào)諧式，VTl為振蕩管，由變?nèi)荻O管VD4、電容C3～C6和變量器T1的1～3繞組...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：2067

48MHz的HCMOS振蕩器

如圖所示為HCMOS集成電路組成的48MHz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6MHz，但振蕩器強(qiáng)制工作于三次諧波。諧波振蕩器的關(guān)鍵是抑制晶體的基頻，圖中的并聯(lián)諧振電路在晶體的基...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：1739

70MHz并聯(lián)晶體振蕩器

如圖為70MHz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管VTl、晶體SJT及電容Cl、C5等元件組成。元器件選擇：電容Cl為20p，C2為100p，C3、C7為820p，C4為56p，C5、C8為47p，C6...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：1886

56～484高頻振蕩器

如圖所示的高頻振蕩器，可作為高頻信專(zhuān)發(fā)生器，選擇不同的電容值能夠在56～484kHz范圍內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高，輸出阻抗低等特點(diǎn)。元器...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：3477

穩(wěn)壓管高頻信號(hào)發(fā)生器

利用穩(wěn)壓管的齊納擊穿特性，可以得到頻率達(dá)數(shù)百兆赫的高頻信號(hào)，其電路如圖所示。從輸出端V01取出的信號(hào)是單一頻率信號(hào)，可以用來(lái)調(diào)準(zhǔn)調(diào)諧回路中的諧振頻率。從輸出V02取出...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：1418

高頻產(chǎn)生點(diǎn)燈器

如圖所示為高頻產(chǎn)生點(diǎn)燈器電路。它是以8V～14V的蓄電池作為能源，經(jīng)振蕩升壓后再點(diǎn)亮6W～12W的熒光燈。晶體三極管VT可采用3DD12A、D3D4D、3DD5C、3DDl5A等低頻大功率三極管...

分類(lèi)：高頻信號(hào)產(chǎn)生 時(shí)間：2008-10-03 閱讀：1524