DDR2與DDR內(nèi)存是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們之間有許多區(qū)別，主要體現(xiàn)在性能、功耗、工作頻率和數(shù)據(jù)傳輸方式等方面。以下是它們的主要區(qū)別： 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR（Double Data Rate）：DDR內(nèi)存的傳輸速率通常從...
PCB的SI設(shè)計(jì)：DDR2、DDR3應(yīng)該是這樣的
本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板（PCB）時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別...
分類：PCB技術(shù) 時(shí)間：2019-09-02 閱讀：1855 關(guān)鍵詞：PCB
DDR2和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
作為電子與通信工程及其相關(guān)的資料。對(duì)于那些從事軟硬件開發(fā)、集成電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程技術(shù)人員來說也是一本很好的文章。 它主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路...
分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2019-07-30 閱讀：1231 關(guān)鍵詞：PCB信號(hào)
針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板（PCB）時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別...
分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間：2019-07-24 閱讀：1562 關(guān)鍵詞：DDR2-800,DDR3,PCB信號(hào)
首款速率高達(dá)4.8Gbps的DDR2 FB-DIMM誕生
2005年8月26日，北京訊——今天，在舊金山召開的英特爾開發(fā)商論壇（IDF）上，的內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，該公司正在推出雙數(shù)據(jù)速率2（DDR2）全...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：1717
1 DDR2的介紹 DDR2/DDR IISDRAM是由JEDEC進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)?..
分類：其它 時(shí)間：2011-08-12 閱讀：8935 關(guān)鍵詞：關(guān)于DDR2控制器的設(shè)計(jì)DDR2控制器
速度在不斷飆升！AMD的AM2接口K8架構(gòu)處理器引入最高DDR2800的支持，而Intel也在7月23日發(fā)布了萬眾期待的Conroe處理器并進(jìn)行史上規(guī)模最大的"恐怖襲擊";電腦市場似乎在2006年已經(jīng)提前進(jìn)入了DDR2800的極速時(shí)代。RD600支
分類：其它 時(shí)間：2011-07-30 閱讀：3687 關(guān)鍵詞：內(nèi)存DDR2和DDR3有什么不同
DD2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)介紹DDR2/DDRII（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-05-31 閱讀：4929 關(guān)鍵詞：新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)—DDR2
基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)
摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時(shí)提出了對(duì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Vir...
分類：其它 時(shí)間：2010-12-17 閱讀：3341 關(guān)鍵詞：基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集
完備的DDR2和DDR3存儲(chǔ)器電源管理方案MAX17000A
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2010-11-25 閱讀：4112 關(guān)鍵詞：完備的DDR2和DDR3存儲(chǔ)器電源管理方案MAX17000AMAX17000A
基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真
摘 要： 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對(duì)IBIS模型進(jìn)行仿真分析，給出了一個(gè)具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程和方法?！?..
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2010-09-25 閱讀：3635 關(guān)鍵詞：基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真DDR2嵌入式系統(tǒng)
愛特梅爾為400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2標(biāo)準(zhǔn)配置
愛特梅爾公司(AtmelCorporation)宣布推出400MHzARM926嵌入式微控制器系列之首款產(chǎn)品SAM9G45，該器件支持第二代雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM(DDR2)，并針對(duì)樓宇自控系統(tǒng)、數(shù)據(jù)記錄儀、銷售終端機(jī)(POS)、報(bào)警系統(tǒng)和醫(yī)療設(shè)備等
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2009-11-05 閱讀：1786 關(guān)鍵詞：愛特梅爾為400MHz ARM9嵌入式微控制器提供DDR2標(biāo)準(zhǔn)配置ARM9嵌入式微控制器DDR2
據(jù)摩根斯坦利公司的分析師FrankWang稱，DDR2芯片的價(jià)格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會(huì)超過DDR3芯片的售價(jià)，不過漲價(jià)期應(yīng)該不會(huì)超過6個(gè)月，而DDR3芯片則將在這段時(shí)間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動(dòng)最近DDR2芯片價(jià)格...
分類：其它 時(shí)間：2009-10-09 閱讀：1508 關(guān)鍵詞：留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個(gè)月
PMC-Sierra新推1.8 GHz主頻雙CPU核 64位MIPS-Powered多處理器和DDR2
PMC-Sierra公司在的秋季處理器論壇（FallProcessorForum）上發(fā)布了其第三代高集成64位MIPS-Powered多處理器。這款RM11200處理器采用PMC-Sierra業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的系統(tǒng)級(jí)芯片（Soc）平臺(tái)設(shè)計(jì)方案和90納米CM
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2007-12-24 閱讀：2439 關(guān)鍵詞：PMC-Sierra新推1.8 GHz主頻雙CPU核 64位MIPS-Powered多處理器和DDR2
三星新開發(fā)出70nm工藝DDR2 SDRam存儲(chǔ)芯片
三星電子公司宣稱，他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512MbDDR2SDRam存儲(chǔ)芯片，這也是目前存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的最精細(xì)的微處理技術(shù)。三星電子稱，采用70nm工藝生產(chǎn)的512MbDDR2SDRam存儲(chǔ)芯片，是當(dāng)前80nm...
分類：其它 時(shí)間：2007-12-18 閱讀：2041 關(guān)鍵詞：三星新開發(fā)出70nm工藝DDR2 SDRam存儲(chǔ)芯片
DDR2逼近變動(dòng)成本 預(yù)計(jì)價(jià)格反彈近期可待
上周(11/26-12/3)現(xiàn)貨市場仍延續(xù)近期的價(jià)格走勢(shì)，DDR2512MbeTT顆粒雖然小幅下跌，但已有支持的力道出現(xiàn)，收在0.81美元，跌幅約1.2%；而DDR21GbeTT顆粒價(jià)格則滑落至1.61美元，跌幅約1.8%；品牌顆粒DDR21Gb的
分類：其它 時(shí)間：2007-12-15 閱讀：1351 關(guān)鍵詞：DDR2逼近變動(dòng)成本 預(yù)計(jì)價(jià)格反彈近期可待
ISSI針對(duì)DDR2模塊應(yīng)用推出電可擦除串行EEPROM
IntegratedSiliconSolution推出2KBit串行EEPROM專為DDR2內(nèi)存模塊應(yīng)用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又一款高度集成的電可擦除的可編程存儲(chǔ)器IC，專門用作DDR2內(nèi)存模塊，有高度的可靠性和優(yōu)良的性能，
分類：其它 時(shí)間：2007-12-12 閱讀：2020 關(guān)鍵詞：ISSI針對(duì)DDR2模塊應(yīng)用推出電可擦除串行EEPROM
賽靈思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解決方案
賽靈思(Xilinx)宣布，推出基于Virtex-4FPGA的667MbpsDDR2參考設(shè)計(jì)。據(jù)稱，該參考設(shè)計(jì)提供了FPGA業(yè)界帶寬最高、最可靠的內(nèi)存接口解決方案。賽靈思DDR2-SDRAM接口采用了創(chuàng)新的Virtex-4ChipSync技術(shù)，這是
分類：其它 時(shí)間：2007-12-12 閱讀：1609 關(guān)鍵詞：賽靈思推出首款667Mbps的DDR2SDRAM接口解決方案DDR2-667
飛利浦新型DDR2寄存器優(yōu)化DIMM負(fù)載，每模塊提供多達(dá)36個(gè)DRAM
飛利浦(Philips)日前針對(duì)高端服務(wù)器及先進(jìn)計(jì)算的存儲(chǔ)密集型應(yīng)用，推出新型高速寄存器系列SSTU3286*。該系列針對(duì)DDR2DIMM負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，能精確控制傳輸至模塊上的每一個(gè)DRAM信號(hào)，從而使新寄存器的DDR2寄存存儲(chǔ)模塊...
分類：其它 時(shí)間：2007-12-11 閱讀：1654 關(guān)鍵詞：飛利浦新型DDR2寄存器優(yōu)化DIMM負(fù)載，每模塊提供多達(dá)36個(gè)DRAMLFBGA-96DDR2-667SSTU32865
