深入解析安森美 SiC Combo JFET 技術(shù)特性與應(yīng)用優(yōu)勢
在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率器件的性能對于眾多應(yīng)用場景的高效運行起著關(guān)鍵作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-06-26 閱讀：369 關(guān)鍵詞：JFET
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計電橋，都需要精確的偏置電流。通過添加單個電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且精確的電流源（圖 1 ...
共源JFET放大器 放大器電路由 N 溝道 JFET 組成，但該器件也可以是等效的 N 溝道耗盡型 MOSFET，因為電路圖將相同，只是 FET 發(fā)生變化，以共源配置連接。 JFET柵極電壓...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-11-12 閱讀：558 關(guān)鍵詞：共源 JFET 放大器
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 通常需要向柵極端子施加一些反向偏置電壓?！ ≡?HF 和 UHF 應(yīng)用中，通常使用源電阻器 Rs 兩端的電壓提供此偏置（圖 1）?！ D 1：JFET 通常需...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-16 閱讀：637 關(guān)鍵詞：結(jié)型場效應(yīng)晶體管
基于 JFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器采用 300mV 電源供電
您可以利用 JFET 的自偏置特性構(gòu)建一個 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器由太陽能電池、熱電堆和單級燃料電池等電源供電，所有這些電源的電壓均低于 600 mV，有時甚至低至 300 mV。...
分類：電源技術(shù) 時間：2023-07-28 閱讀：4357 關(guān)鍵詞： DC/DC 轉(zhuǎn)換器
正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標(biāo)準(zhǔn)布置和連接
該圖顯示了在有源區(qū)域使用時具有正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標(biāo)準(zhǔn)布置和連接。這里，柵源電壓 V GS等于柵極電源或輸入電壓 V G，它設(shè)置柵極和源極之間的反向偏置，而...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-28 閱讀：828 關(guān)鍵詞：N 溝道 JFET
氮化鎵的優(yōu)越材料特性推動了其在功率器件應(yīng)用中的使用。橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 器件已在廣泛的電壓等級（主要是 650 V 及以下）上實現(xiàn)商業(yè)化。與具有類似額定電壓的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高開關(guān)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-03-15 閱讀：633 關(guān)鍵詞：JFET功率器件
快速、低噪聲的 JFET 放大器在整個溫度范圍內(nèi)都很穩(wěn)定
雖然 JFET 是用于低成本高輸入阻抗放大器的出色器件，但它們確實存在與溫度相關(guān)的增益漂移。這個問題可以通過在 -55 o C 至 125 o C 溫度范圍內(nèi)將漏極電流設(shè)置為零漂移工作...
在許多電子電路中，總是需要設(shè)備將一個電路與另一個電路隔離或分離。這種特殊設(shè)備稱為緩沖區(qū)。緩沖器是一種單位增益放大器，具有極高的輸入電阻和極低的輸出電阻。這意味著...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-01-05 閱讀：1022 關(guān)鍵詞：4×JFET
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導(dǎo)通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實現(xiàn)了價值...
時間：2022-12-15 閱讀：502 關(guān)鍵詞：SiC JFET
共源JFET放大器使用結(jié)型場效應(yīng)晶體管作為其主要有源器件，提供高輸入阻抗特性。晶體管放大器電路（例如共射極放大器）是使用雙極晶體管制造的，但是小信號放大器也可以使用...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2020-05-28 閱讀：1507 關(guān)鍵詞：共源JFET放大器分析放大器
當(dāng)使用分立的JFET時，設(shè)計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應(yīng)。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=β（VGS-VP）2,...
分類：模擬技術(shù) 時間：2012-07-25 閱讀：2776 關(guān)鍵詞：確定JFET特性的簡單電路
結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的主要參數(shù)
（1）. 夾斷電壓VP 當(dāng)vDS為某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小電流(例如50mA)時，柵-源極間所加的電壓即夾斷電壓?！ 。?）. 飽和漏極電流IDSS 在vGS=0的條件下...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2010-06-10 閱讀：9458 關(guān)鍵詞：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的主要參數(shù)
TI推出具有超低噪音與超低失真的JFET輸入運算放大器產(chǎn)品系列
德州儀器(TI)宣布推出具有超低噪音與超低失真、并可限度提高音頻系統(tǒng)質(zhì)量與性能的JFET輸入運算放大器產(chǎn)品系列，從而進(jìn)一步擴(kuò)大TI Burr-Brown音頻產(chǎn)品線。OPA1641、OPA1642...
分類：模擬技術(shù) 時間：2010-04-30 閱讀：3028 關(guān)鍵詞：TI推出具有超低噪音與超低失真的JFET輸入運算放大器產(chǎn)品系列放大器
ADI推出JFET輸入運算放大器和低功耗基準(zhǔn)電壓源
美國模擬器件公司(AnalogDevices,Inc.)日前推出了最佳性能的JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)輸入運算放大器和一系列低功耗基準(zhǔn)電壓源。ADA4000-1與同類解決方案相比，具有最高的精密度，而且輸入偏置電流降低了80%，失調(diào)電壓...
分類：模擬技術(shù) 時間：2007-12-19 閱讀：2007 關(guān)鍵詞：ADI推出JFET輸入運算放大器和低功耗基準(zhǔn)電壓源AD7545AD7893AD7862AD5327AD7457
