功率 MOSFET 恐怕是工程師們最常用的器件之一了。然而，關(guān)于 MOSFET 的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選 N 型還是 P 型、封裝類型，大到 MOSFET 的耐壓、導(dǎo)通電阻等。不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，下面將詳細(xì)總結(jié) M...
MOSFET 噪聲模型全揭秘：特性、建模與參數(shù)提取
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用，成為了不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，MOSFET 中的噪聲問題卻對電路的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生著重要影響，尤其在無線通...
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通條件取決于其類型（N溝道或P溝道）和工作模式（增強型或耗盡型）。以下是詳細(xì)分析：1. 基本導(dǎo)通條件(1) N溝道MOSFET（NMOS）增強型（常閉型）：柵源電壓 VGSVGS > ...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-07-22 閱讀：451 關(guān)鍵詞：mosfet管
安森美 EliteSiC MOSFET 與柵極驅(qū)動器：電動汽車電力系統(tǒng)創(chuàng)新引領(lǐng)者
在歐盟 2035 年零排放目標(biāo)等一系列雄心勃勃的計劃推動下，全球范圍內(nèi)從化石燃料向電動汽車（EV）的轉(zhuǎn)型正在以前所未有的速度加速進(jìn)行。為了在市場中吸引消費者，電動汽車必...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-07-10 閱讀：215 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
在電子元器件的領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件 MOSFET 占據(jù)著舉足輕重的地位。如果說晶體管能夠被稱為 20 世紀(jì)最偉大的發(fā)明，那么毫無疑問，MOSFET 在其中功不可沒。早在 1925 年，關(guān)于 MOSFET 基本原理的專利就已發(fā)表，195...
解析 Littelfuse SMFA：非對稱 TVS 二極管助力 SiC MOSFET 高效柵極保護(hù)
在當(dāng)今的電源和電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 的應(yīng)用正變得越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，開關(guān)損耗也在持續(xù)降低。然而，隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計人...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-06-24 閱讀：226 關(guān)鍵詞： TVS 二極管
在電力電子領(lǐng)域，為了確保 SiC（碳化硅）模塊的安全使用，精確計算其在工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并使其在額定值范圍內(nèi)運行至關(guān)重要。MOSFET 的損耗計算與 IGBT 既有相...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-06-19 閱讀：314 關(guān)鍵詞： SiC MOSFET
SiC MOSFET 模塊并聯(lián)的動態(tài)均流難題及對策
在電力電子領(lǐng)域的不斷發(fā)展進(jìn)程中，SiC MOSFET 模塊由于其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻等，被廣泛應(yīng)用于各種高功率、高頻率的場合。而當(dāng)多個 SiC MOSFET 模塊并聯(lián)...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-05-30 閱讀：312 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）都是現(xiàn)代電力電子中的核心開關(guān)器件，但它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用場景上有顯著差異。以下是兩者的詳細(xì)對比： 1. 基本結(jié)構(gòu)與工作原理特性IGBTMOS...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-05-19 閱讀：503 關(guān)鍵詞：IGBTMOSFET
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”：超低導(dǎo)通電阻助力快速充電革新
在當(dāng)今電子設(shè)備飛速發(fā)展的時代，快速充電技術(shù)已經(jīng)成為了眾多消費者和制造商關(guān)注的焦點。為了滿足市場對于快速充電的需求，全球知名半導(dǎo)體制造商 ROHM（總部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有...
增強型（Enhancement-mode）和耗盡型（Depletion-mode）MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的兩種基本工作模式，它們在導(dǎo)通特性、閾值電壓和應(yīng)用場景上存在本質(zhì)區(qū)別。以下是詳細(xì)對比分析： 1. 閾值電壓（VGS(th)VG...
提供精確電壓和泄漏電流平衡的新MOSFET已準(zhǔn)備好服務(wù)于2.8 V至3.3 V. Ald910030的超級電容器。幾乎沒有電源來平衡細(xì)胞平衡，并促進(jìn)了在串聯(lián)串聯(lián)堆棧中為每個超級電容器的電...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-04-11 閱讀：1225 關(guān)鍵詞：超級電容器
將Schottky屏障二極管與SIC MOSFET集成的進(jìn)步
Sic Schottky二極管比標(biāo)準(zhǔn)硅P/N二極管具有許多優(yōu)勢。一個關(guān)鍵優(yōu)勢是缺乏反向發(fā)現(xiàn)損失，這可能會主導(dǎo)P/N二極管損失，尤其是在較高的溫度，快速轉(zhuǎn)換過渡和高流動應(yīng)用下。除了...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-03-20 閱讀：421 關(guān)鍵詞：二極管
低壓技術(shù) 與N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相對較小的份額，低壓的主流技術(shù)是溝槽門。這項技術(shù)的開發(fā)是為了克服早期平面結(jié)構(gòu)的局限性，以提供較低的抵抗力和較低的損失。這些MOSFET通過插入溝槽區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)...
時間：2025-02-19 閱讀：337 關(guān)鍵詞：MOSFET
低壓功率MOSFET設(shè)計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應(yīng)用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以...
SiC MOSFET 利用快速關(guān)斷方法實現(xiàn)短路保護(hù)
短路原點 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的 SC 事件可能由多種原因引起，包括電纜操作、負(fù)載故障、絕緣材料老化、組件故障和設(shè)計錯誤。電源應(yīng)用可以包括不同的保護(hù)機制以提高其可靠性。 負(fù)載引起的高電感 SC 事件通常通過軟件...
分類：安防監(jiān)控 時間：2024-12-19 閱讀：426 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
這些串聯(lián)器件通常稱為堆疊式 MOSFET 或堆疊式器件。例如，將三個 1 um MOSFET 串聯(lián)起來，可以產(chǎn)生一個通道長度為 3 um 的有效器件（圖 1）?！ ￡P(guān)于模擬布局中的堆疊式 MO...
設(shè)計基于 SiCMOSFET 的 66kW 雙向電動汽車車載充電器
隨著世界轉(zhuǎn)向更清潔的燃料替代品，電動汽車運輸領(lǐng)域正在經(jīng)歷快速增長。此外，配備足夠電池容量的電動汽車可用于支持獨立負(fù)載（V2L）和補充電網(wǎng)電力（V2G）。由此可見，電動...
研究 25kW 并聯(lián) SiC MOSFET DAB 轉(zhuǎn)換器的性能
分立器件與電源模塊 SiC MOSFET在電動汽車充電器和光伏逆變器等各個領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注，這主要歸功于其卓越的開關(guān)速度、效率和熱性能。雖然 SiC MOSFET 的特性使其適用...
使用高置信度 MOSFET 的基于模型的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計
設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時，仿真模型可用于幫助權(quán)衡多種設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。有源器件的基于開關(guān)的簡單模型用于快速仿真，從而獲得更多的工程見解。然而，簡單的設(shè)備模型不會像詳細(xì)的制造商設(shè)...
分類：電源技術(shù) 時間：2024-10-18 閱讀：943 關(guān)鍵詞：電源轉(zhuǎn)換器
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