在電子科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，“半導(dǎo)體”“芯片”“集成電路”“晶圓” 這些詞匯頻繁出現(xiàn)在新聞報(bào)道、產(chǎn)品介紹中，很多人卻容易將它們混淆。實(shí)際上，這四個(gè)概念既緊密關(guān)聯(lián)，又存在明確差異，如同電子產(chǎn)業(yè) “金字塔” ...
滾磨工藝是晶圓加工的起始步驟，其目的是對硅單晶棒的外徑進(jìn)行精確磨削，使其達(dá)到目標(biāo)直徑，并加工出平邊參考面或定位槽。單晶爐制備的單晶棒外徑表面粗糙不平，且直徑大于最終應(yīng)用的硅片直徑，因此外徑滾磨是獲得符...
晶圓和芯片的定義晶圓（Wafer）：晶圓是制造芯片的基礎(chǔ)材料，通常由高純度的單晶硅制成圓形薄片。它就像是芯片制造的 “畫布”，通過一系列復(fù)雜的工藝，能在上面制造出數(shù)千甚至數(shù)萬個(gè)芯片。晶圓的直徑常見的有 6 英...
時(shí)間：2025-06-09 閱讀：146 關(guān)鍵詞：晶圓
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓是核心基礎(chǔ)，其表面質(zhì)量直接影響芯片的性能、可靠性和良品率。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向更小尺寸、更高性能發(fā)展，對晶圓表面缺陷的檢測精度和效率提出了極高...
全面解析扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)原理與流程
扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)概述 在集成電路封裝領(lǐng)域，常規(guī) IC 封裝需要經(jīng)歷將晶圓與 IC 封裝基板焊接，再把 IC 基板焊接至普通 PCB 的復(fù)雜流程。而扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)則基于 IC 晶圓，運(yùn)用 PCB 制...
具有單片 CMOS 讀出功能的晶圓級 GFET 生物傳感器陣列
為了消除多分析物診斷 ELISA 方法的缺點(diǎn)，通過使用具有集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 ( CMOS ) 讀出功能的傳感器陣列，在單芯片上實(shí)現(xiàn)了更先進(jìn)的解決方案。CMOS 讀出技術(shù)的潛在...
VMMK-3213 是一款帶有集成溫度補(bǔ)償檢測器的寬帶定向耦合器，專為 6 至 18 GHz 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該檢測器提供與射頻功率輸入成比例的直流輸出，提供了一種測量放大器功率輸出的...
隨著現(xiàn)代電子裝置對小型化、輕量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不斷提高，IC芯片的特征尺寸不斷縮小，且集成規(guī)模迅速擴(kuò)大，芯片封裝技術(shù)也在不斷革新，凸點(diǎn)加工工藝（Bumpprocessflow）也因...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-10-28 閱讀：2367 關(guān)鍵詞：一文詳解晶圓BUMP加工工藝和原理晶圓
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多的認(rèn)可。...
有了之前的介紹，相信大家對晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的作用有了一個(gè)清晰的認(rèn)識。那么，自然而然地，一個(gè)疑問就冒出來了：晶圓是如何生長的?又是如何制備的呢?本節(jié)小編將為大家一一道來?！ ”竟?jié)的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)?..
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2018-07-05 閱讀：1710 關(guān)鍵詞：晶體,晶圓
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）屬于21 世紀(jì)前沿技術(shù)，是對MEMS加速度計(jì)、MEMS 陀螺儀及慣性導(dǎo)航系統(tǒng)的總稱。MEMS 器件特征尺寸從毫米、微米甚至到納米量級，涉及機(jī)械、電子、化學(xué)、物...
分類：電子測量 時(shí)間：2017-07-03 閱讀：1265 關(guān)鍵詞：MEMS,晶圓級測試
納米制程、硅晶圓、IC，你應(yīng)該知道的半導(dǎo)體科普知識
IC 功能的關(guān)鍵，復(fù)雜繁瑣的芯片設(shè)計(jì)流程 在前面已經(jīng)介紹過芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣，先有晶圓作為地基，再層層往上迭的芯片制造流程后，就可產(chǎn)出必要的 I...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2015-08-20 閱讀：6547 關(guān)鍵詞：納米制程、硅晶圓、IC，你應(yīng)該知道的半導(dǎo)體科普知識晶片零組件半導(dǎo)體
對于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容（Cox）。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路...
分類：物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間：2014-11-03 閱讀：2827 關(guān)鍵詞：IC芯片的晶圓級射頻（RF）測試IC芯片 晶圓級 射頻(RF)測試 參數(shù)測試儀RF
印刷設(shè)備的主要供應(yīng)商，EVG集團(tuán)日前公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI FB XT,該平臺匯集多項(xiàng)技術(shù)突破，令半導(dǎo)體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。...
分類：其它 時(shí)間：2014-08-25 閱讀：1608 關(guān)鍵詞：EVG推出新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI FB XTEVG融化晶圓鍵合平臺 GEMINI FB XT 3D-IC
據(jù)報(bào)道，日本DAINIPPONSCREENMFG的半導(dǎo)體設(shè)備公司開發(fā)出了高精度清除附著于晶圓斜面（端面及其鄰接傾斜部分）的金屬膜的蝕刻清洗技術(shù)“BevelEtchingChamber（BEC）”。通過采用新的晶圓夾緊裝置和處理方法等，改進(jìn)了...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-03 閱讀：1606
9月24日消息，昨天在美國舊金山2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會（Intel Developer Forum, IDF）上，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅·歐德寧（Paul Otellini）展示了世界上首款基...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-03 閱讀：2307
力晶半導(dǎo)體旗下位于新竹科學(xué)園區(qū)的第2座12英寸晶圓廠（12B）6月3日舉行啟用典禮，象征向世界前5大DRAM廠邁進(jìn)的決心。董事長黃崇仁表示，力晶開拓我國臺灣的決心不變，不論經(jīng)濟(jì)如何波動(dòng)，將依原規(guī)劃每2年在我國臺灣蓋...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：2416
SDRAM市場需求節(jié)節(jié)攀升，下游客戶端庫存量已降至相對低點(diǎn)，加上DRAM廠紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至NAND型Flash，使得近來SDRAM出現(xiàn)難得一見的榮景，不僅顆粒報(bào)價(jià)水漲船高，晶圓代工廠商也雨露均沾，相繼調(diào)漲代工報(bào)價(jià)，其中，力晶...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：2876
DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)變，出貨報(bào)價(jià)毫不手軟
進(jìn)入第二季底，多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對季底作帳而壓低DRAM報(bào)價(jià)，不過，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價(jià)恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：1443
