鐵電存儲器（FeRAM，F(xiàn)erroelectric RAM）和Flash存儲器是兩種常見的非易失性存儲技術(shù)，但它們在工作原理、性能和適用場景上有顯著差異。以下是主要區(qū)別：1. 工作原理FeRAM：利用鐵電材料的極化特性存儲數(shù)據(jù)。當(dāng)外加...
時間：2025-07-30 閱讀：409 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器
非易失性存儲器 (NVM) 在幾乎所有嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都起著關(guān)鍵作用，但許多設(shè)計(jì)對非易失性存儲器在數(shù)據(jù)寫入和訪問速度、數(shù)據(jù)保留、低功耗等方面的要求越來越嚴(yán)格。在汽車應(yīng)...
時間：2019-10-18 閱讀：898 關(guān)鍵詞：存儲器
導(dǎo)讀：為了建立安全有效的道路運(yùn)行環(huán)境，汽車行駛記錄儀作為有效的監(jiān)測工具，已經(jīng)越來越廣泛的被采用。汽車行駛記錄儀需要每隔0.2s快速的記錄與存儲車輛行駛的關(guān)鍵信息，而...
時間：2014-07-29 閱讀：1505 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用｜｜鐵電存儲器 ｜汽車行駛記錄儀 ｜汽車黑匣子
鐵電存儲器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中的應(yīng)用
引言 在綜合驗(yàn)光儀的驗(yàn)光過程中，用戶會根據(jù)不同的測試需求和習(xí)慣設(shè)置一些系統(tǒng)配置參數(shù)，這些參數(shù)需要保存起來；更為重要的是，患者測得的雙眼屈光數(shù)據(jù)也需要長時間地保...
分類：其它 時間：2011-01-18 閱讀：3446 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中的應(yīng)用74HC573W78E516BFM1808FM180鐵電存儲器
電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 復(fù)費(fèi)率電能表 以及具有雙向通訊能力的電子式電能表等，其提供的擴(kuò)展功...
分類：其它 時間：2010-10-11 閱讀：3474 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器的主要技術(shù)特點(diǎn)鐵電存儲器
1 鐵電存儲器簡介 隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等...
分類：其它 時間：2009-06-23 閱讀：4423 關(guān)鍵詞：基于鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)電存儲器
鐵電存儲器（ＦＲＡＭ）能兼容ＲＡＭ的一切功能，并且和ＲＯＭ技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的ＲＡＭ。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言...
分類：其它 時間：2008-09-04 閱讀：2130 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器的技術(shù)原理鐵電存儲器
基于鐵電存儲器FM25640在電表數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用
在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲器的選擇也是多種多樣，存儲器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種。但這...
分類：其它 時間：2008-08-12 閱讀：2157 關(guān)鍵詞：基于鐵電存儲器FM25640在電表數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用FM25640ADE7758MC68HC908LJ12存儲器FM25640電表
鐵電存儲器在多CPU自動識別控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
1、自動識別控制系統(tǒng)簡介 自動識別技術(shù)是將數(shù)據(jù)自動識讀、自動輸入計(jì)算機(jī)的一種方法或手段。它是包括條碼技術(shù)、磁條(卡)技術(shù)、光學(xué)字符識別、系統(tǒng)集成化、射頻技術(shù)、聲...
分類：工業(yè)電子 時間：2007-12-22 閱讀：2707 關(guān)鍵詞：鐵電存儲器在多CPU自動識別控制系統(tǒng)中的應(yīng)用DS12C88774HC24474HC245FM24C16AT89X52
RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L307
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM以8051為基礎(chǔ)的微控制器(MCU)-VRS51L3072...
分類：其它 時間：2007-11-29 閱讀：1396 關(guān)鍵詞：RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L307
富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等...
分類：其它 時間：2007-11-27 閱讀：1538 關(guān)鍵詞：富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器ICMB85R1002
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation擴(kuò)展其Grade 1 FRAM汽車存儲器產(chǎn)品系列，推出新一款符合+125℃工作...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2007-11-21 閱讀：1547 關(guān)鍵詞：RAMTRON推出新型+125℃汽車鐵電存儲器
RAMTRON擴(kuò)展VERSA 8051系列推出2KB鐵電存儲器MCU
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS...
分類：其它 時間：2007-11-19 閱讀：1463 關(guān)鍵詞：RAMTRON擴(kuò)展VERSA 8051系列推出2KB鐵電存儲器MCU8051S
RAMTRON擴(kuò)展VERSA 8051產(chǎn)品系列推出2KB鐵電存儲器微控制器
F-RAM和RamtronInternationalCorporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM以8051為基礎(chǔ)的微控制器(MCU)--VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa8501產(chǎn)品中，以進(jìn)行快
分類：其它 時間：2007-11-19 閱讀：1429 關(guān)鍵詞：RAMTRON擴(kuò)展VERSA 8051產(chǎn)品系列推出2KB鐵電存儲器微控制器
RAMTRON推出+125℃汽車鐵電存儲器，全面提升GRADE 1產(chǎn)品規(guī)范
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation擴(kuò)展其Grade 1 FRAM汽車存儲器產(chǎn)品系列，推出新一款符合+125℃工作范...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2007-11-16 閱讀：1423 關(guān)鍵詞：RAMTRON推出+125℃汽車鐵電存儲器，全面提升GRADE 1產(chǎn)品規(guī)范
Fimicro推出4兆位鐵電存儲器的單板計(jì)算機(jī)
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商RAMTRON宣布德國嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商Fimicro已在Active104新系列單板計(jì)算機(jī)以及智能I/O擴(kuò)展模塊中采用非易失性鐵電存儲器。FimicroO已將RAMTRON
分類：其它 時間：2007-11-16 閱讀：1596 關(guān)鍵詞：Fimicro推出4兆位鐵電存儲器的單板計(jì)算機(jī)FM22L16
RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L307...
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM以8051為基礎(chǔ)的微控制器(MCU)-VRS51L3072...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間：2007-11-15 閱讀：1227 關(guān)鍵詞：RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L307...
RAMTRON發(fā)布2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L3072
非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商RamtronInternationalCorporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM以8051為基礎(chǔ)的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron將F-R
分類：其它 時間：2007-10-10 閱讀：1461 關(guān)鍵詞：RAMTRON發(fā)布2KB鐵電存儲器微控制器VRS51L30728051S
