NTD110N02RT4G
50000
-/25+
原廠渠道商,可支持60天賬期及180天承兌
NTD110N02RT4G
12000
TO252/-
-
NTD110N02
168000
SOT252/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道
NTD110N02
6000
TO252/08+
原裝正品,配單能手
NTD110N02
8150
NA//23+
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
NTD110N02
52701
SOT252/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
NTD110N02
6000
TO252/08+
原裝正品,配單能手
NTD110N02
26000
TO252/2024
原裝現(xiàn)貨上海庫存,歡迎查詢
NTD110N02
8913
SOT252/23+
柒號芯城,離原廠的距離只有0.07公分
NTD110N02
5000
SOT252/22+
原裝現(xiàn)貨,配單助手
NTD110N02
138000
SOT252/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道
NTD110N02R
56500
DPAK4/2025+
一級代理品牌,價格優(yōu)勢,原廠原裝,量大可以發(fā)貨訂
NTD110N02R
22500
DPAK4/16+RoHS
保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價好給你
NTD110N02R
6607
-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨
NTD110N02R
20000
QFP/2024+
17%原裝.深圳送貨
NTD110N02R
20022
DPAK/2021+
原裝進(jìn)口訂貨7-10天
NTD110N02R
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載,一站式BOM配單
NTD110N02R
60701
TSSOP/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
NTD110N02R
8500
DPAK/2025+
原裝現(xiàn)貨
NTD110N02R
5000
SOP/23+
原裝庫存,提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
NTD110N02R
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD110N02R
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
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Power MOSFET
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Power MOSFET
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NTD110N02R-D
Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel ...
ON Semiconductor
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NTD110N02RT4
Power MOSFET
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Power MOSFET
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MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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Power MOSFET
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6+2.88= 8.88w 集成oring二極管解決方案 安森美半導(dǎo)體的nis6111是一個混合oring二極管,參見圖3 nis6111框圖。該集成oring二極管在if = 20a時vf = 0.124v。它的正向?qū)〒p耗是0.124vx20a=2.48w。因為oring二極管用于門驅(qū)動,可以并聯(lián)一個額外的mosfet,進(jìn)一步降低vf。(并聯(lián)相同的mosfet以與特性相匹配是一個好的做法。內(nèi)置的mosfet是ntd110n02,)參見圖4等效電路表示。 并聯(lián)ntd110n02之后,導(dǎo)通功率損耗變?yōu)?.062vx20a=1.24w。因為這是一個集成器件,內(nèi)部的模擬電路的最大偏置電流為4ma。最大的偏置功耗是4 ma xvanode=4 ma x13.2v=53mw。加到浮電荷泵器件的最大功率是36 mw。浮電荷泵采用+12 vdc總線作為輸入并且將其升高10v,送到nis6111的vregin引腳,所以總導(dǎo)通功耗是1.33w。
產(chǎn)品型號:NTD110N02RT4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):24
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏極電流Id(on)(A):110
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
價格/1片(套):¥6.00
...
產(chǎn)品型號:NTD110N02RG
源漏極間雪崩電壓VBR(V):24
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏極電流Id(on)(A):110
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
價格/1片(套):¥6.00
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產(chǎn)品型號:NTD110N02R-001G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):24
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):4.600
最大漏極電流Id(on)(A):110
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 3/-55 ~150
描述:24 V, 110 A功率MOSFET
價格/1片(套):¥6.00
產(chǎn)品型號:NTD110N02R
源漏極間雪崩電壓VBR(V):24
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):3.700
最大漏極電流Id(on)(A):110
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~150
描述:110A,24V功率MOSFET
價格/1片(套):¥9.20
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