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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>ntd12n10 更新時間:2025-10-18 09:42:35

ntd12n10供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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ntd12n10價格行情

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歷史最低報價：￥0.9000 歷史最高報價：￥10.0000 歷史平均報價：￥4.9666

ntd12n10中文資料

  • 5.0到6.5W的以太網(wǎng)供電DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計介紹

    vdc之間的電壓。根據(jù)該電壓下pd的吸收電流決定pd的類別，詳細總結(jié)于下表。 額外的輸入特性 除了簽名和分類電路外，pd還必須包括在輸入電壓到來時將來自pse的浪涌電流限制在400ma之內(nèi)的電路，并防止直流/直流轉(zhuǎn)換器引起的任何靜態(tài)電流或阻抗在簽名和分類過程中被忽略。 具體的簽名/分類電路 參考圖1所示原理圖，輸入簽名和分類電路是圍繞著幾個分立和低價的安森美半導(dǎo)體器件設(shè)計的，其中包括了tl431可編程參考電路、2n7002信號電平mosfet、2n5550 npn晶體管、ntd12n10 mosfet和幾個齊納二極管及電阻電容。為了實現(xiàn)簽名檢測，24.9k電阻(r1)直接放于輸入端。要注意的是，在簽名檢測階段，輸入電壓低于10v，由u1、q2和r4組成的恒定電流源處于關(guān)閉狀態(tài)，因為必須超過9.1v擊穿電壓才能完成這個電路的偏置。還要注意的是，作為直流/直流轉(zhuǎn)換器回路管腳中串接的輸入開關(guān)管mosfet q3也是關(guān)閉的，直到輸入電壓超過約27v。該電壓等于d2的擊穿電壓和q3的柵極門限電壓之和。 圖1：poe受電設(shè)備(pd)原理圖。 隨著電壓上升到分類電平，d1

  • NTD12N10的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:ntd12n10源漏極間雪崩電壓vbr(v):100源漏極最大導(dǎo)通電阻rds(on)(mω):130最大漏極電流id(on)(a):12通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):dpak/-55~175描述:12a,100v邏輯電平的功率mosfet價格/1片(套):￥4.20 來源:xiangxueqin

  • 5.0-6.5W以太網(wǎng)供電DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用設(shè)計技巧

    vdc之間的電壓。根據(jù)該電壓下pd的吸收電流決定pd的類別，詳細總結(jié)于下表。 額外的輸入特性 除了簽名和分類電路外，pd還必須包括在輸入電壓到來時將來自pse的浪涌電流限制在400ma之內(nèi)的電路，并防止直流/直流轉(zhuǎn)換器引起的任何靜態(tài)電流或阻抗在簽名和分類過程中被忽略。 具體的簽名/分類電路 參考圖1所示原理圖，輸入簽名和分類電路是圍繞著幾個分立和低價的安森美半導(dǎo)體器件設(shè)計的，其中包括了tl431可編程參考電路、2n7002信號電平mosfet、2n5550 npn晶體管、ntd12n10 mosfet和幾個齊納二極管及電阻電容。為了實現(xiàn)簽名檢測，24.9k電阻(r1)直接放于輸入端。要注意的是，在簽名檢測階段，輸入電壓低于10v，由u1、q2和r4組成的恒定電流源處于關(guān)閉狀態(tài)，因為必須超過9.1v擊穿電壓才能完成這個電路的偏置。還要注意的是，作為直流/直流轉(zhuǎn)換器回路管腳中串接的輸入開關(guān)管mosfet q3也是關(guān)閉的，直到輸入電壓超過約27v。該電壓等于d2的擊穿電壓和q3的柵極門限電壓之和。 圖1：poe受電設(shè)備(pd)原理圖。 隨著電壓上升到分類電平，d1

  • NTD12N10T4G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTD12N10T4G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):100
    源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):165
    最大漏極電流Id(on)(A):12
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:12 A, 100 V功率MOSFET
    價格/1片(套):￥4.20

    ...

  • NTD12N10-1G的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTD12N10-1G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):100
    源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):165
    最大漏極電流Id(on)(A):12
    通道極性:N
    封裝/溫度(℃):DPAK-3/-55~175
    描述:100V,12A,N溝道MOSFET
    價格/1片(套):暫無


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  • NTD12N10的技術(shù)參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTD12N10
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):100
    源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):130
    最大漏極電流Id(on)(A):12
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
    描述:12A,100V邏輯電平的功率MOSFET
    價格/1片(套):￥4.20

ntd12n10替代型號

NTD110N02RT4G NTD110N02RG NTD110N02R-001G NTD110N02R NTD110N02 NTC5D-9 NTC10K NTB90N02 NTB85N03T4G NTB85N03

NTD12N10-1G NTD12N10T4G NTD14N03 NTD14N03R NTD14N03RT4G NTD15N06 NTD15N06L NTD18N06-1G NTD18N06G NTD18N06L

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NTMFS4708NT1G NRF2402G NSS20500UW3T2G NCP1230D100R2G NANOSMDC150F-2 NDS332P-NL NCP1200D60R2G NL17SZ17DFT2G NCP4672DR2G NTR4502PT1G

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