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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>ntd12n10t4g 更新時間:2025-10-16 11:44:51

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歷史最低報價:¥0.7000 歷史最高報價:¥3.0000 歷史平均報價:¥1.1963

ntd12n10t4g中文資料

  • NTD12N10T4G的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:ntd12n10t4g源漏極間雪崩電壓vbr(v):100源漏極最大導通電阻rds(on)(mω):165最大漏極電流id(on)(a):12通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:12 a, 100 v功率mosfet價格/1片(套):¥4.20 來源:xiangxueqin

  • NTD12N10T4G的技術參數(shù)

    產(chǎn)品型號:NTD12N10T4G
    源漏極間雪崩電壓VBR(V):100
    源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):165
    最大漏極電流Id(on)(A):12
    通道極性:N溝道
    封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:12 A, 100 V功率MOSFET
    價格/1片(套):¥4.20

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ntd12n10t4g替代型號

NTD12N10-1G NTD12N10 NTD110N02RT4G NTD110N02RG NTD110N02R-001G NTD110N02R NTD110N02 NTC5D-9 NTC10K NTB90N02

NTD14N03 NTD14N03R NTD14N03RT4G NTD15N06 NTD15N06L NTD18N06-1G NTD18N06G NTD18N06L NTD18N06LT4G NTD18N06T4G

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