充電樁電路圖
出處:羅姆半導(dǎo)體 發(fā)布于:2022-02-21 11:04:35 | 2411 次閱讀
大家應(yīng)該還記得假期電動(dòng)汽車在高速公路上搶充電樁而打架互毆的新聞,充電樁作為電動(dòng)汽車的能量補(bǔ)給裝置幾乎是必備的,如果你家里沒(méi)有裝,那你一定會(huì)慎重考慮購(gòu)買電動(dòng)車,周邊充電是否方便,電價(jià)是否便宜,是否安全。
特別是充電樁電路設(shè)計(jì)是否能夠達(dá)到安全防護(hù)的目的,比如是否具有急停功能、過(guò)負(fù)荷保護(hù)、短路保護(hù)、漏電保護(hù)、防雷保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、絕緣保護(hù)、電池反接、電池過(guò)壓、電池故障等保護(hù)功能,而且要充電樁電路性能穩(wěn)定可靠。
這里給大家分享幾個(gè)快速、高效、安全、合理的充電樁電路圖和充電樁電路設(shè)計(jì)方案。大家感興趣的可以看看羅姆半導(dǎo)體的方案。
針對(duì)單向充電樁
面向大功率Vienna PFC+LLC電路拓?fù)涞姆桨?br /> Vienna整流+LLC構(gòu)成了充電樁的基本電路。如果考慮設(shè)備成本,羅姆推薦使用硅器件、FRD(快恢復(fù)二極管)方案;如果需要高功率密度和高效率,則推薦使用碳化硅 MOS/SBD方案。

PFC部分更適合使用碳化硅器件,理由有二:其一,高溫時(shí)導(dǎo)通電阻增加較少,能實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)可抑制發(fā)熱,使用更小的散熱板;其二,碳化硅器件的恢復(fù)損耗非常小,開(kāi)關(guān)損耗較小,能夠提高工作頻率,有助于輸入線圈的小型化。作為硅器件解決方案,也可以使用具有高速開(kāi)關(guān)的羅姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。

其次,對(duì)于LLC部分,羅姆通過(guò)高耐壓1200V 碳化硅MOS來(lái)削減部件個(gè)數(shù)。通過(guò)將1200V 碳化硅MOS應(yīng)用于LLC部分,可以將Stack型的LLC電路變更為下述Single型。具備高耐壓、高速開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的碳化硅器件給Single LLC帶來(lái)以下優(yōu)點(diǎn):
減少功率器件數(shù)量,節(jié)省空間,簡(jiǎn)化電路,降低故障率;
減少控制元件數(shù)量,簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路,減少M(fèi)CU使用數(shù)、減少端口數(shù)。
碳化硅MOS可以實(shí)現(xiàn)Single LLC的優(yōu)勢(shì)
針對(duì)雙向充電樁
面向三相B6-PFC電路拓?fù)涞慕鉀Q方案
羅姆針對(duì)雙向充電樁的三相B6-PFC拓?fù)涞姆桨甘褂?200V 碳化硅MOS,它具有以下優(yōu)點(diǎn):
受高溫影響??;
高速恢復(fù)性能有助于可實(shí)現(xiàn)輸入線圈、絕緣變壓器的小型化;
抑制偏共振時(shí)的破壞風(fēng)險(xiǎn)。
20kW以下使用1200V開(kāi)關(guān)元器件,例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx(1200V/17-95A)”或標(biāo)準(zhǔn)IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的應(yīng)用中,可以選擇全碳化硅功率模塊“BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx(1200-1700V/80-600A/Half-Bridge)”,實(shí)現(xiàn)雙有源橋諧振變換器(絕緣雙向DC-DC)。
針對(duì)充電樁二次電源系統(tǒng)的解決方案
針對(duì)充電樁系統(tǒng)中的二次部分(控制器,驅(qū)動(dòng)部分),羅姆也有非常多的產(chǎn)品可供選擇,其中在電源方面,有電源樹(shù)形式的提案,從HV-DCDC到DCDC或LDO。


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