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DDR3

什么是DDR3L內(nèi)存?DDR3L和DDR3內(nèi)存哪個好?DDR3L和DDR3內(nèi)存的區(qū)別

什么是DDR3L內(nèi)存?   DDR3L內(nèi)存是一種低電壓雙倍數(shù)據(jù)率第三代同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR3 SDRAM),它是DDR3內(nèi)存的低電壓版本。DDR3L內(nèi)存通常工作在1.35V電壓,相比標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存(工作電壓為1.5V),能夠降低...

時間:2024-05-28 閱讀:1229 關(guān)鍵詞:DDR3LDDR3

DDR3、DDR4區(qū)別在哪里

DDR3和DDR4是計算機內(nèi)存模塊的兩種標(biāo)準(zhǔn),它們在數(shù)據(jù)傳輸速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它們的主要特點:  DDR3(Double Data Rate 3)  數(shù)據(jù)傳輸速度: DDR3內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度相對較慢,最高可達(dá)每秒16...

時間:2024-03-07 閱讀:442 關(guān)鍵詞:DDR3,DDR4

DDR4較DDR3有了多大的提升?

在內(nèi)存的關(guān)鍵指標(biāo)中,容量、速度和時序是常被提及的參數(shù),速度普遍意義上被認(rèn)為是內(nèi)存帶寬。 Intel第六代酷睿Skylake處理器發(fā)布后,帶來了對DDR4的全面支持。雖然DDR4內(nèi)...

時間:2022-08-09 閱讀:1063 關(guān)鍵詞:DDR3DDR4

PCB的SI設(shè)計:DDR2、DDR3應(yīng)該是這樣的

本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別...

分類:PCB技術(shù) 時間:2019-09-02 閱讀:1855 關(guān)鍵詞:PCB

DDR2和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計

作為電子與通信工程及其相關(guān)的資料。對于那些從事軟硬件開發(fā)、集成電路設(shè)計、系統(tǒng)設(shè)計的工程技術(shù)人員來說也是一本很好的文章?! ∷饕婕暗綄DR2和DDR3在設(shè)計印制線路...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時間:2019-07-30 閱讀:1231 關(guān)鍵詞:PCB信號

針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計

本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設(shè)計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計事項,這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時間:2019-07-24 閱讀:1562 關(guān)鍵詞:DDR2-800,DDR3,PCB信號

基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器用戶接口設(shè)計

摘要:為了滿足高速圖像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中對高帶寬和大容量的要求,利用Virtex-7 系列FPGA 外接DDR3 SDRAM 的設(shè)計方法,提出了一種基于Verilog-HDL 語言的DDR3 SDRAM 控制器用...

時間:2017-11-17 閱讀:1120 關(guān)鍵詞:ddr3,控制器

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設(shè)計

機載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實現(xiàn)2D圖形的繪制,構(gòu)成各種飛行參數(shù)畫面,同時疊加實時的外景視頻。由于FPGA具有強大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點,基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機載...

分類:EDA/PLD/PLC 時間:2015-03-12 閱讀:3888 關(guān)鍵詞:基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設(shè)計FPGADDR3

S2C提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadE V7

導(dǎo)讀:近日,SoC/ASIC快速原型解決方案領(lǐng)先的供應(yīng)商S2C宣布提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadEV7.全新的QuadEV7能夠擴(kuò)充遠(yuǎn)程管理功能,幫助設(shè)計人員向著實現(xiàn)“云端”原型驗證再邁進(jìn)一步。據(jù)了解,S2C的QuadE...

分類:EDA/PLD/PLC 時間:2014-02-28 閱讀:2541 關(guān)鍵詞:S2C提供滿足使用大容量或高性能DDR3內(nèi)存的QuadE V7S2CQuadE V7FPGA時鐘編程

配合DS34S132使用的DDR3存儲器模塊

DS34S132 32端口TDM - over –Packet IC采用外部DDR同步DRAM (DDR1)存儲器緩存數(shù)據(jù)。內(nèi)存空間需提供足夠的緩存區(qū)域,以支持256條偽線(PW)/綁定中每一偽線的256ms數(shù)據(jù)包延遲變化(PDV)。如果數(shù)據(jù)包交換網(wǎng)絡(luò)(PSN...

分類:其它 時間:2012-01-03 閱讀:3965 關(guān)鍵詞:配合DS34S132使用的DDR3存儲器模塊

爾必達(dá)申明40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片成功開發(fā)

爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段,年底前則可實現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)集成電路設(shè)計行業(yè)的消息來源稱,預(yù)見到SDRAM內(nèi)存將出現(xiàn)供應(yīng)短缺的局...

分類:嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間:2011-09-02 閱讀:1677 關(guān)鍵詞:DDR3芯片

基于DDR3存儲器接口控制器IP核的視頻數(shù)據(jù)處理

引言 與過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件有了明顯的進(jìn)步。DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制...

分類:其它 時間:2011-08-03 閱讀:4171 關(guān)鍵詞:基于DDR3存儲器接口控制器IP核的視頻數(shù)據(jù)處理

內(nèi)存DDR2和DDR3有什么不同

速度在不斷飆升!AMD的AM2接口K8架構(gòu)處理器引入最高DDR2800的支持,而Intel也在7月23日發(fā)布了萬眾期待的Conroe處理器并進(jìn)行史上規(guī)模最大的"恐怖襲擊";電腦市場似乎在2006年已經(jīng)提前進(jìn)入了DDR2800的極速時代。RD600支

分類:其它 時間:2011-07-30 閱讀:3687 關(guān)鍵詞:內(nèi)存DDR2和DDR3有什么不同

完備的DDR2和DDR3存儲器電源管理方案MAX17000A

MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器...

分類:電源技術(shù) 時間:2010-11-25 閱讀:4112 關(guān)鍵詞:完備的DDR2和DDR3存儲器電源管理方案MAX17000AMAX17000A

如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但...

分類:其它 時間:2010-04-29 閱讀:6932 關(guān)鍵詞:如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接FPGASDRAM存儲器DDR3

IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高溫度傳感器

IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)以最高效率運行,通過監(jiān)測各子系統(tǒng)的溫度來節(jié)省總...

分類:傳感技術(shù) 時間:2010-01-27 閱讀:3723 關(guān)鍵詞:IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器傳感器DDR3內(nèi)存模

用中檔FPGA實現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器

引言  由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加,因此針對更高的速度和性能,設(shè)計人員對存儲技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多...

分類:其它 時間:2010-01-22 閱讀:6779 關(guān)鍵詞:用中檔FPGA實現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器DDR3存儲器控制器FPGA

Netlist推出提高服務(wù)器使用的DDR3模塊

HyperCloud的DDR3 RDIMM內(nèi)存模塊限度地允許384 GB內(nèi)存用在雙插槽服務(wù)器。該模塊采用的秩乘法ASIC技術(shù),從而完全替代帶有16Gb vRank RDIMM的三個存儲器通道?! ∷膫€物理組...

分類:其它 時間:2009-12-23 閱讀:3200 關(guān)鍵詞:Netlist推出提高服務(wù)器使用的DDR3模塊DDR3模塊

Inphi 推出提高DDR3系統(tǒng)容量和速度的隔離存儲緩沖器

iMB01-GS02隔離存儲緩沖器是單芯片,通過緩沖數(shù)據(jù)和尋址線降低存儲器控制器上負(fù)載。通過隔離CPU和存儲元器件,緩沖存儲器,I/O,控制和數(shù)據(jù)信號,DDR3存儲器DIMM模塊(稱為L...

分類:其它 時間:2009-12-17 閱讀:3787 關(guān)鍵詞:Inphi 推出提高DDR3系統(tǒng)容量和速度的隔離存儲緩沖器存儲緩沖器DDR3

基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計

摘要:本文介紹了DDR3 SDRAM 的基本特點和主要操作時序,給出了一種基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的設(shè)計方法。詳述了控制器基本結(jié)構(gòu)和設(shè)計思想,分析了各模塊功能與...

分類:其它 時間:2009-12-07 閱讀:5228 關(guān)鍵詞:基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計DDR3 SDRAM控制器

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